[发明专利]一种碳化硅晶圆背面加工工艺

权利要求书

1.一种碳化硅晶圆背面加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1、取一个完成前半段制程的碳化硅晶圆，将碳化硅晶圆正面贴附到带有气孔的玻璃载板上，采用抽气设备在玻璃载板下方抽气，将碳化硅晶圆真空吸附在玻璃载板上，然后通过LPCVD工艺在碳化硅晶圆背面和边缘沉积一层第一二氧化硅层，再移除抽气设备，最后再次进行LPCVD工艺，沉积一层第二二氧化硅层，包覆住碳化硅晶圆和玻璃载板；

S2、对于步骤S1中得到的碳化硅晶圆，然后从碳化硅晶圆背面开始研磨，先研磨掉碳化硅晶圆背面的第一二氧化硅层和第二二氧化硅层，再对碳化硅晶圆背面进行研磨减薄，减薄后在碳化硅晶圆背面进行离子植入和金属沉积，在碳化硅晶圆背面形成一层金属沉积层；

S3、对步骤S2中得到的碳化硅晶圆，通过RTA工艺进行快速回火，激活背面植入的离子，形成欧姆接触，然后再取一块带有气孔的玻璃载板，将碳化硅晶圆背面贴附到玻璃载板上，采用抽气设备从玻璃载板下方进行抽气，将碳化硅晶圆真空吸附到玻璃载板上；

S4、对于步骤S2中得到的碳化硅晶圆，采用溶剂蚀刻掉第一二氧化硅层和第二二氧化硅层，再移除贴附在碳化硅晶圆正面的玻璃载板，然后停止抽气设备的抽气并移除抽气设备，最后移除贴附在碳化硅晶圆背面的玻璃载板，得到完成背面工艺的玻璃载板。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆背面加工工艺，其特征在于，在所述步骤S1中，碳化硅晶圆的正面制程包括制作晶体管、离子植入、高温回火和ILD层制作。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆背面加工工艺，其特征在于，在所述步骤S1中，所沉积的第一二氧化硅层会包覆住碳化硅晶圆的背面和边缘，以及玻璃载板和碳化硅晶圆接触的一面，所沉积的第二二氧化硅层会包覆住碳化硅晶圆的玻璃载板的外部，以及沉积到玻璃载板的气孔中，以固定住碳化硅晶圆。

4.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆背面加工工艺，其特征在于，在所述步骤S3中，对碳化硅晶圆的快速回火，也能使用RTP工艺。

5.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆背面加工工艺，其特征在于，在所述步骤S3中，将碳化硅晶圆背面贴附到玻璃载板上时，碳化硅晶圆背面的金属沉积层为碳化硅晶圆和玻璃载板的接触面。

6.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆背面加工工艺，其特征在于，在所述步骤S4中，蚀刻第一二氧化硅层和第二二氧化硅层所使用的溶剂为氢氟酸。