[发明专利]一种碳化硅晶圆背面加工工艺

说明书

本发明涉及碳化硅晶圆加工技术领域，具体的是一种碳化硅晶圆背面加工工艺，本发明包括以下步骤：S1、取一个完成前半段制程的碳化硅晶圆，将碳化硅晶圆正面贴附到带有气孔的玻璃载板上，采用抽气设备在玻璃载板下方抽气，将碳化硅晶圆真空吸附在玻璃载板上，然后通过LPCVD工艺在碳化硅晶圆背面和边缘沉积一层第一二氧化硅层，再移除抽气设备，最后再次进行LPCVD工艺，通过在沉积第一二氧化硅层可以对碳化硅晶圆和玻璃载板之间进行定位，无需使用粘着剂即可保证移除抽气设备时，碳化硅晶圆不会在玻璃载板上产生位移，并且二氧化硅的耐高温能力强，方便将碳化硅晶圆固定到玻璃载板上进行后续的高温工艺。

技术领域

本发明涉及碳化硅晶圆加工领域，具体的是一种碳化硅晶圆背面加工工艺。

背景技术

碳化硅晶圆，也称碳化硅单晶片，是沿特定的结晶方向将碳化硅晶体切割、研磨、抛光得到片状单晶材料。

在碳化硅晶圆完成正面的工艺后，还需要翻转碳化硅晶圆进行背面的工艺，并且通过玻璃载板进行承载，并且通过玻璃载板进行承载，以方便碳化硅晶圆加工中的载取和传送。

在现有技术中，通常通过SOG涂布将碳化硅晶圆和玻璃载板进行固定，但是在进行背面的高温回火工艺时，玻璃载板耐高温能力差，不方便直接承载碳化硅晶体进行高温工艺，以及在对碳化硅晶圆进行减薄时，涂布的SOG的固定效果差，所起到的固定能力无法承受研磨减薄时来自研磨设备的力量。

发明内容

本发明的目的在于提供一种碳化硅晶圆背面加工工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。

本发明的目的可以通过以下技术方案实现：

一种碳化硅晶圆背面加工工艺，包括以下步骤：

S1、取一个完成前半段制程的碳化硅晶圆，将碳化硅晶圆正面贴附到带有气孔的玻璃载板上，采用抽气设备在玻璃载板下方抽气，将碳化硅晶圆真空吸附在玻璃载板上，然后通过LPCVD工艺在碳化硅晶圆背面和边缘沉积一层第一二氧化硅层，再移除抽气设备，最后再次进行LPCVD工艺，沉积一层第二二氧化硅层，包覆住碳化硅晶圆和玻璃载板；

S2、对于步骤S1中得到的碳化硅晶圆，然后从碳化硅晶圆背面开始研磨，先研磨掉碳化硅晶圆背面的第一二氧化硅层和第二二氧化硅层，再对碳化硅晶圆背面进行研磨减薄，减薄后在碳化硅晶圆背面进行离子植入和金属沉积，在碳化硅晶圆背面形成一层金属沉积层；

S3、对步骤S2中得到的碳化硅晶圆，通过RTA工艺进行快速回火，激活背面植入的离子，形成欧姆接触，然后再取一块带有气孔的玻璃载板，将碳化硅晶圆背面贴附到玻璃载板上，采用抽气设备从玻璃载板下方进行抽气，将碳化硅晶圆真空吸附到玻璃载板上；

S4、对于步骤S2中得到的碳化硅晶圆，采用溶剂蚀刻掉第一二氧化硅层和第二二氧化硅层，再移除贴附在碳化硅晶圆正面的玻璃载板，然后停止抽气设备的抽气并移除抽气设备，最后移除贴附在碳化硅晶圆背面的玻璃载板，得到完成背面工艺的玻璃载板。

优选的，在所述步骤S1中，碳化硅晶圆的正面制程包括制作晶体管、离子植入、高温回火和ILD层制作。

优选的，在所述步骤S1中，所沉积的第一二氧化硅层会包覆住碳化硅晶圆的背面和边缘，以及玻璃载板和碳化硅晶圆接触的一面，所沉积的第二二氧化硅层会包覆住碳化硅晶圆的玻璃载板的外部，以及沉积到玻璃载板的气孔中，以固定住碳化硅晶圆。

优选的，在所述步骤S3中，对碳化硅晶圆的快速回火，也能使用RTP工艺。

优选的，在所述步骤S3中，将碳化硅晶圆背面贴附到玻璃载板上时，碳化硅晶圆背面的金属沉积层为碳化硅晶圆和玻璃载板的接触面。

优选的，在所述步骤S4中，蚀刻第一二氧化硅层和第二二氧化硅层所使用的溶剂为氢氟酸。

本发明的有益效果：