[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

接触结构，至少部分地穿透所述衬底，所述接触结构包括下导电图案和在所述下导电图案上的上导电图案，所述上导电图案包括第一金属的注入有掺杂剂的氮化物；

底电极，在所述衬底上并连接到所述接触结构；

顶电极，在所述底电极上；以及

介电层，将所述顶电极与所述底电极分开。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述掺杂剂的价电子数与所述第一金属的价电子数不同。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，

所述第一金属包括钛Ti，以及

所述掺杂剂包括铌Nb、钽Ta或钒V中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述上导电图案的厚度在至的范围内。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述下导电图案包括第二金属，以及

所述第一金属和所述掺杂剂包括与所述第二金属的材料不同的材料。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第二金属包括钨W。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述底电极耦接到所述上导电图案的顶表面，以及

所述上导电图案将所述底电极与所述下导电图案分开。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

中间导电图案，在所述上导电图案与所述下导电图案之间，

其中，所述中间导电图案包括所述第一金属的没有所述掺杂剂的氮化物。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述上导电图案还包含氧的扩散，使得所述氧的浓度在从所述上导电图案的顶表面朝向所述上导电图案的内部的方向上降低。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述底电极具有中空杯形状，以及

所述介电层延伸以接触所述底电极的内侧表面。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述底电极包括氧化物电极。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述底电极包括掺杂有钽Ta的氧化锡SnO₂或钌酸锶SrRuO₃中的至少一种。

13.一种半导体器件，包括：

器件隔离图案，在半导体衬底中限定有源区；

字线，在所述半导体衬底中跨过所述有源区；

第一杂质区，在所述有源区中并在所述字线的一侧；

第二杂质区，在所述有源区中并在所述字线的另一侧；

位线，跨过所述半导体衬底并连接到所述第一杂质区；

着接焊盘，在所述第二杂质区上；

存储节点接触部，将所述着接焊盘连接到所述第二杂质区；

底电极，在所述着接焊盘上；以及

介电层，覆盖所述底电极，

其中，所述着接焊盘包括：

第一导电图案，包括第一金属，

第二导电图案，在所述第一导电图案上并且包括第二金属的氮化物，以及

界面层，在所述第二导电图案的顶表面上，所述界面层包括所述第二金属的氮氧化物。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述底电极的整个底表面与所述界面层接触。

15.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述界面层包括价电子数与所述第二金属的价电子数不同的掺杂剂。