[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

公开一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底；接触结构，穿透衬底；底电极，在衬底上并连接到接触结构；介电层，覆盖底电极；以及顶电极，在底电极上。介电层将顶电极与底电极分开。接触结构包括下导电图案和在下导电图案上的上导电图案。上导电图案包括第一金属的注入掺杂剂的氮化物。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年11月24日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2021-0163735的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明构思涉及一种半导体器件及其制造方法，更具体地，涉及一种包括电容器的半导体器件及其制造方法。

背景技术

半导体器件由于其小尺寸、多功能和/或低制造成本而在电子工业中具有重要作用。半导体器件可以被包括在存储逻辑数据的半导体存储器件、处理逻辑数据的操作的半导体逻辑器件、以及具有存储器和逻辑元件两者的混合半导体器件中的任何一种中，和/或被分类为上述半导体存储器件、半导体逻辑器件以及混合半导体器件中的任何一种。

近来，对电子产品的高速和低功耗的需求要求嵌入在电子产品中的半导体器件应具有高操作速度和/或较低的操作电压。为了满足上述需求，半导体器件的集成度越来越高。半导体器件的高集成度可能导致半导体器件的可靠性降低。然而，随着电子工业的进步，对半导体器件的高可靠性的需求也越来越高。因此，已经进行了各种研究以提高半导体器件的可靠性。

发明内容

本发明构思的一些实施例提供一种提高了操作稳定性的半导体器件及其制造方法。

本发明构思的一些实施例提供一种提高了电特性的半导体器件及其制造方法。

根据本发明构思的一些实施例，一种半导体器件可以包括：衬底；接触结构，至少部分地穿透衬底，该接触结构包括下导电图案和在下导电图案上的上导电图案，上导电图案包括第一金属的注入有掺杂剂的氮化物；底电极，在衬底上并连接到接触结构；顶电极，在底电极上；以及介电层，将顶电极与底电极分开。

根据本发明构思的一些实施例，一种半导体器件可以包括：器件隔离图案，在半导体衬底中限定有源区；字线，在半导体衬底中跨过有源区；第一杂质区，在有源区中并在字线的一侧；第二杂质区，在有源区中并在字线的另一侧；位线，跨过半导体衬底并连接到第一杂质区；着接焊盘，在第二杂质区上；存储节点接触部，将着接焊盘连接到第二杂质区；底电极，在着接焊盘上；以及介电层，覆盖底电极。着接焊盘可以包括：第一导电图案，包括第一金属；第二导电图案，在第一导电图案上并且包括第二金属的氮化物；以及界面层，在第二导电图案的顶表面上。界面层可以包括第二金属的氧氮化物。

根据本发明构思的一些实施例，一种制造半导体器件的方法可以包括：在衬底上形成金属层；在金属层上形成金属氮化物层；将掺杂剂注入金属氮化物层的上部以形成界面层；将界面层、金属氮化物层和金属层图案化以形成接触结构；在衬底上形成模制层；形成穿透模制层以暴露界面层的顶表面的孔；以及在孔中形成与界面层的顶表面接触的底电极。底电极可以包括导电氧化物。

附图说明

图1示出了示出根据本发明构思的一些实施例的半导体器件的截面图。

图2至图6示出了示出图1的部分A的放大图。

图7示出了示出根据本发明构思的一些实施例的半导体器件的截面图。

图8至图18示出了示出根据本发明构思的一些实施例的制造半导体器件的方法的截面图。

图19示出了示出根据本发明构思的一些实施例的半导体器件的平面图。

图20和图21示出了示出根据本发明构思的一些实施例的半导体器件的截面图。

图22至图33示出了示出根据本发明构思的一些实施例的制造半导体器件的方法的截面图。