[发明专利]低剖面双极化天线及电子设备在审
申请号: | 202211112625.8 | 申请日: | 2022-09-13 |
公开(公告)号: | CN115395211A | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
发明(设计)人: | 李锦芳;郭秋芬;华雪侠;张爱娟;何东山;万凤;刘紫玉 | 申请(专利权)人: | 咸阳师范学院 |
主分类号: | H01Q1/36 | 分类号: | H01Q1/36;H01Q1/22;H01Q1/24;H01Q1/27;H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王锋 |
地址: | 71200*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 剖面 极化 天线 电子设备 | ||
1.一种低剖面双极化天线,其特征在于,包括相对设置的第一金属层、第二金属层以及设置于所述第一金属层和第二金属层之间的绝缘介质层;
所述第一金属层包括耦合单元以及环绕所述耦合单元设置的多个寄生片,且多个所述寄生片之间无接触,所述寄生片与耦合单元之间无接触;
所述绝缘介质层中还设置有连通结构和馈电单元,所述第二金属层与寄生片及其对应的连通结构电连接,构成开口环形的谐振单元;所述耦合单元能够与所述谐振单元产生谐振;所述馈电单元用于向所述耦合单元馈电。
2.根据权利要求1所述的低剖面双极化天线,其特征在于,所述耦合单元的形状包括井字形、patch形、圆形、十字形、六边形中的任意一种。
3.根据权利要求2所述的低剖面双极化天线,其特征在于,所述耦合单元包括垂直交叉连接的第一线型结构和第二线型结构;
优选的,所述第一线型结构和/或第二线型结构的形状包括直线形和/或折线形。
4.根据权利要求3所述的低剖面双极化天线,其特征在于,所述馈电单元包括第一馈电端口和第二馈电端口,用于向所述耦合单元馈电;
优选的,所述第一馈电端口用于向所述第一线型结构馈电,所述第二馈电端口用于向所述第二线型结构馈电。
5.根据权利要求4所述的低剖面双极化天线,其特征在于,所述第一馈电端口与所述第一线型结构电连接,所述第二馈电端口与所述第二线型结构电连接。
6.根据权利要求4所述的低剖面双极化天线,其特征在于,所述馈电单元还包括设置于所述绝缘介质层中的第一馈电板和第二馈电板;
所述第一馈电端口与第一馈电板电连接,所述第二馈电端口与第二馈电板电连接;
所述第一馈电板用于向所述第一线型结构耦合馈电,所述第二馈电板用于向所述第二线型结构耦合馈电。
7.根据权利要求6所述的低剖面双极化天线,其特征在于,所述第一馈电板的延伸方向与所述第一线型结构的延伸方向平行,所述第二馈电板的延伸方向与所述第二线型结构的延伸方向平行。
8.根据权利要求1所述的低剖面双极化天线,其特征在于,所述寄生片具有缺口,所述缺口朝向所述耦合单元;
优选的,所述缺口为弧形缺口。
9.根据权利要求1所述的低剖面双极化天线,其特征在于,所述第二金属层为连续金属层,且所述第二金属层与任意两个寄生片及其对应的连通结构构成一环形开口的谐振单元。
10.一种电子设备,其特征在于,包括权利要求1-9中任意一项所述的低剖面双极化天线;
优选的,所述低剖面双极化天线的第一金属层设置于所述电子设备的外壳上;
优选的,所述低剖面双极化天线与所述电子设备的部分结构共形。
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