[发明专利]一种多梯度单筒干式磁选机有效

专利信息
申请号: 202211113612.2 申请日: 2022-09-14
公开(公告)号: CN115445766B 公开(公告)日: 2023-05-30
发明(设计)人: 张玉川;胥立杰;张旭;徐鑫岩;徐海龙 申请(专利权)人: 承德星铄科技有限公司
主分类号: B03C1/10 分类号: B03C1/10;G08B21/24;G08B7/06
代理公司: 无锡市诺创知识产权代理事务所(普通合伙) 32557 代理人: 毛世燕
地址: 068250 河北*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 一种 梯度 单筒干式 磁选
【权利要求书】:

1.一种多梯度单筒干式磁选机,包括给料机架(2)以及位于给料机架(2)下方的机体(1),其特征在于,所述机体(1)内设有带有转轴的多梯度磁滚筒(12),所述机体(1)外端通过三角支架安装有变频调速电机(10),所述变频调速电机(10)通过连轴器与多梯度磁滚筒(12)上的转轴连接,所述给料机架(2)顶部安装有给料机(3),所述给料机(3)下端安装有振动传感器(31),所述机体(1)上端固定连接有入料口(41)、所述机体(1)底部设置有尾料口(42)和精料口(43),且给料机(3)口部位于入料口(41)正上方,所述多梯度磁滚筒(12)内安装有多梯度磁系(9),所述多梯度磁系(9)分为吸附区、选别区、提纯区以及卸料区,所述机体(1)内顶端安装有挡料板(5),所述挡料板(5)下端与吸附区与选别区分界线处对应,且挡料板(5)与多梯度磁滚筒(12)相互不接触,所述机体(1)底端固定连接有分料器(11),所述分料器(11)隔离尾料口(42)和精料口(43),所述机体(1)内固定连接有三角支架,所述三角支架上固定夹持有清料片(14),所述清料片(14)无限靠近多梯度磁滚筒(12)外表面,且二者相互不接触;

所述挡料板(5)包括与机体(1)内顶端固定连接的安装板(51)以及通过螺栓固定连接在安装板(51)下端的挡料块(52),所述挡料块(52)采用硬质多线型橡胶带,所述入料口(41)朝向挡料板(5)一侧的口部固定连接有导料板,所述导料板底部开凿有凹槽,所述凹槽左右侧壁固定连接有感力双条(7),所述感力双条(7)包括分别与凹槽侧壁固定连接的上衬条(71)和下感力杆(72)以及固定套设在上衬条(71)和下感力杆(72)外侧的外护层(73),所述上衬条(71)位于下感力杆(72)上方,且下感力杆(72)下端部延伸至导料板下方,所述安装板(51)朝向视窗的一端安装有多个同色系且颜色深浅不一的灯珠、主控板以及声光报警器,所述声光报警器以及灯珠均与主控板信号连接,所述下感力杆(72)中心处开凿有柱形腔,所述柱形腔内固定连接有透明蘑菇球(13),所述透明蘑菇球(13)与柱形腔内壁不接触,所述下感力杆(72)内还固定连接有多个均匀分布的识力触杆(8),所述识力触杆(8)端部与透明蘑菇球(13)外端固定连接,多个所述识力触杆(8)的分布范围不小于120°,且多个识力触杆(8)均位于下感力杆(72)朝向多梯度磁滚筒(12)的端部。

2.根据权利要求1所述的一种多梯度单筒干式磁选机,其特征在于,所述分料器(11)顶部为弧形结构,且分料器(11)远离多梯度磁滚筒(12)的最边缘的点位于多梯度磁滚筒(12)同侧的竖直切线上。

3.根据权利要求1所述的一种多梯度单筒干式磁选机,其特征在于,所述清料片(14)为网状钢丝片结构,所述多梯度磁滚筒(12)外表面进行耐磨处理。

4.根据权利要求1所述的一种多梯度单筒干式磁选机,其特征在于,所述挡料块(52)下端部不与多梯度磁滚筒(12)表面接触,所述机体(1)上端设置有视窗,所述视窗正对挡料板(5)。

5.根据权利要求1所述的一种多梯度单筒干式磁选机,其特征在于,所述识力触杆(8)包括固定镶嵌在下感力杆(72)表面的外弹凸球(81)、固定安装在透明蘑菇球(13)表面的压力传感器(82)、固定连接在外弹凸球(81)和压力传感器(82)之间的导液管(83)以及位于导液管(83)内的内硬条(84),多个压力传感器(82)分别与多个灯珠对应,且沿着从下向上的方向,压力传感器(82)对应的灯珠颜色越来越深,所述内硬条(84)边缘超出下感力杆(72)表面,所述外弹凸球(81)和导液管(83)相互连通,且二者内部饱和填充有荧光液。

6.根据权利要求5所述的一种多梯度单筒干式磁选机,其特征在于,所述柱形腔内安装有感光传感器,所述感光传感器与主控板信号连接,所述内硬条(84)为硬质结构,所述导液管(83)位于透明蘑菇球(13)边缘与柱形腔内壁之间的部位为可变的椭球型散光结构。

7.根据权利要求6所述的一种多梯度单筒干式磁选机,其特征在于,所述散光结构包括多个呈阵列分布的外遮光条(831)以及多个分别固定连接在相邻两个外遮光条(831)之间的内漏光层(832),所述内漏光层(832)位于外遮光条(831)朝向阵列中心点的一侧,且相邻两个外遮光条(831)相互靠近的边缘相互接触。

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