[发明专利]多层电子组件及其制造方法在审
| 申请号： | 202211115317.0 | 申请日： | 2022-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN115810486A | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 吴泳俊;金正烈 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/008 | 分类号： | H01G4/008;H01G4/12;H01G4/224;H01G4/30 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张红;孙丽妍 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层 电子 组件 及其 制造 方法 | ||
1.一种多层电子组件，包括：
主体，包括多个第一介电层和多个内电极，所述主体被划分为：
电容形成部，在所述电容形成部中，所述多个第一介电层和所述多个内电极在第一方向上交替地设置；
第一覆盖部，设置在所述电容形成部的在所述第一方向上的一个表面上，并且包括第二介电层；以及
第二覆盖部，设置在所述电容形成部的在所述第一方向上的另一表面上，并且包括第三介电层；以及
外电极，设置在所述主体上，
其中，在所述多个内电极之中的最靠近所述第一覆盖部设置的内电极被称为IE1，并且IE1中的Ni(OH)2质量与NiO质量的比值大于等于4.5且小于等于7.5。
2.如权利要求1所述的多层电子组件，其中，IE1中的Ni(OH)2质量与NiO质量的比值大于等于4.88且小于等7.07。
3.如权利要求1所述的多层电子组件，其中，在所述多个内电极中的至少一个内电极中，Ni(OH)2质量与NiO质量的比值小于等于3.0。
4.如权利要求1所述的多层电子组件，其中，Ni(OH)2质量与NiO质量的比值小于等于3.0的内电极的数量与所述多个内电极中的内电极的总数的比率大于等于90％且小于100％。
5.如权利要求1所述的多层电子组件，其中，最靠近所述第二覆盖部设置的内电极被称为IE2，并且IE2中的Ni(OH)2质量与NiO质量的比值大于等于4.5且小于等于7.5。
6.如权利要求5所述的多层电子组件，其中，IE1和IE2中的Ni(OH)2质量与NiO质量的比值大于等于4.88且小于等于7.07。
7.如权利要求1所述的多层电子组件，其中：
所述电容形成部的与所述第一覆盖部相邻的区域被称为K1，
所述电容形成部的与所述第二覆盖部相邻的区域被称为K2，
所述电容形成部的设置在K1和K2之间的区域被称为Kc，
存在于K1和K2中的内电极中的Ni(OH)2质量与NiO质量的比值大于等于4.5且小于等于7.5，并且
存在于Kc中的内电极中的Ni(OH)2质量与NiO质量的比值小于等于3.0。
8.如权利要求7所述的多层电子组件，其中，Kc的在所述第一方向上的最大距离与所述电容形成部的在所述第一方向上的最大距离的比值大于等于0.9且小于1.0，并且
K1和K2包括Ni(OH)2质量与NiO质量的比值大于等于4.5且小于等于7.5的至少一个内电极。
9.如权利要求1所述的多层电子组件，其中，IE1包括导电颗粒，所述导电颗粒包括金属颗粒和设置在所述金属颗粒的表面的至少一部分上的Ni(OH)2。
10.如权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述多个内电极中的每个的平均厚度小于等于0.35μm。
11.如权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述多个第一介电层中的每个的平均厚度小于等于0.37μm。
12.如权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一覆盖部的平均厚度小于等于15μm。
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