[发明专利]用于半导体装置封装中的接合垫的电场控制

权利要求书

1.一种设备，其包括：

半导体裸片，其在装置侧表面上具有接合垫，所述半导体裸片进一步包括：

接地平面，其与接合垫间隔一间隔距离，所述接合垫具有用于接收球形接合的上表面，且具有外边界，且具有从所述上表面延伸到底面的垂直侧，所述底面形成于所述半导体裸片的所述装置侧表面之上；及

保护性外涂层PO，其上覆于所述接地平面且上覆于所述接合垫的所述垂直侧，且上覆于所述接合垫的所述上表面的部分，且具有暴露所述接合垫的所述上表面的剩余部分的开口，所述PO具有小于3.8的介电常数。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述接合垫及所述接地平面是铝、铜或金。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述接合垫是铝。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述半导体裸片进一步包括形成于与接合垫的所述外边界相距小于4微米的距离处的浮动迹线。

5.根据权利要求4所述的设备，其中所述接合垫是铝且所述浮动迹线是铝。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述半导体裸片上的所述接合垫具有含圆形外侧转角的矩形形状。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述半导体裸片上的所述接合垫具有含圆角的矩形形状，所述圆角具有非均匀轮廓。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述半导体裸片包括所述PO，且所述设备进一步包括：非线性场分级材料，其经形成为上覆于所述接合垫外边界且覆盖所述接合垫的所述垂直侧，所述非线性场分级材料是选自钛酸钡BTO、锆钛酸钡BZT及掺磷氧化锌PZO膜的一者。

9.根据权利要求1所述的设备，其中所述半导体裸片进一步包括：

低电容率裸片涂层材料层，其上覆于所述PO，所述低电容率裸片涂层材料具有小于3的介电常数k。

10.根据权利要求9所述的设备，其中所述低电容率裸片涂层材料层是二苯并环烯BCB、双马来酰亚胺三嗪BT树脂、DMI-3005或DMI-3006。

11.一种设备，其包括：

半导体裸片，其在装置侧表面之上具有接合垫，所述接合垫具有经配置以接收球形接合的上表面、半导体衬底之上的底面，且具有含从所述上表面延伸到所述底面的垂直侧的外边界；及

浮动迹线，其形成于所述半导体裸片的所述装置侧表面上且与所述接合垫间隔，所述浮动迹线在所述接合垫的所述外边界的4微米内。

12.根据权利要求11所述的设备，其中所述接合垫是矩形接合垫，且所述浮动迹线是平行于所述接合垫的所述侧中的一者延续的导体。

13.根据权利要求12所述的设备，其中所述接合垫具有含圆形外侧转角的矩形形状。

14.根据权利要求12所述的设备，其中所述浮动迹线及所述接合垫由相同金属化层阶中的金属形成。

15.根据权利要求14所述的设备，其中所述浮动迹线及所述接合垫由铝、铜或金形成。

16.根据权利要求11所述的设备，且其进一步包括：

保护性外涂层PO，其上覆于所述浮动迹线且上覆于所述接合垫的所述垂直侧且沿着所述外边界上覆于所述接合垫的所述上表面的部分，所述PO具有暴露所述接合垫的所述上表面的剩余部分的开口，所述PO具有小于3.8的介电常数。