[发明专利]一种电流镜型等效电容提升电路

权利要求书

1.一种电流镜型等效电容提升电路，其特征在于，包括电容、等效MOS管、信号端和电流镜单元，所述电流镜单元包括N₁节点、N₂节点、N₃节点和N₄节点，所述N₁节点、N₂节点分别通过第一电阻、第二电阻接地，所述第一电阻阻值大于第二电阻阻值，所述N₃节点和N₄节点分别与第一电流源、第二电流源连接，所述第一电流源的电流值小于第二电流源的电流值，所述电容的第一极板与信号端连接，所述电容的第二极板与N₁节点连接，所述等效MOS管的漏极与信号端连接，所述等效MOS管的源极与N₂节点连接，所述等效MOS管的栅极与N₃节点连接。

2.根据权利要求1所述的一种电流镜型等效电容提升电路，其特征在于，所述电流镜单元还包括互为镜像的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的集电极与所述N₃节点连接，所述第一晶体管的发射极与N₁节点连接，第二晶体管的集电极与所述N₄节点连接，所述第二晶体管的发射极与N₂节点连接，第一晶体管的基极与第二晶体管的基极连接，并与所述N₄节点连接。

3.根据权利要求2所述的一种电流镜型等效电容提升电路，其特征在于，所述第一晶体管、第二晶体管为NPN型双极型晶体管。

4.根据权利要求2所述的一种电流镜型等效电容提升电路，其特征在于，所述第一晶体管的发射极和所述第二晶体管的发射极的面积比为1：n。

5.根据权利要求4所述的一种电流镜型等效电容提升电路，其特征在于，所述第一电流源和所述第二电流源的电流比为1：n，所述第一电阻和所述第二电阻的电阻值比为n：1。

6.根据权利要求5所述的一种电流镜型等效电容提升电路，其特征在于，n取值范围为1-10。

7.根据权利要求2所述的一种电流镜型等效电容提升电路，其特征在于，所述等效MOS管为NMOS管。