[发明专利]一种电流镜型等效电容提升电路

说明书

本发明公开了一种电流镜型等效电容提升电路，其中电流镜单元包括N₁节点、N₂节点、N₃节点和N₄节点，其中N₁节点、N₂节点分别通过第一电阻、第二电阻接地，N₃节点和N₄节点分别与第一电流源、第二电流源连接，电容的第一极板与信号端连接，电容的第二极板与N₁节点连接，等效MOS管的漏极与信号端连接，等效MOS管的源极与N₂节点连接，等效MOS管的栅极与N₃节点连接。通过电流镜单元、电容以及等效MOS管，形成电流镜型等效电容提升电路，可实现小电容的倍增，即在电路中使用较小的面积，获得和传统工艺中占用更大面积相同的等效电容，同时具有结构简单、生产成本低的优势。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种电流镜型等效电容提升电路。

背景技术

电容是集成电路中的基本器件，具有耦合交流信号、构建延迟和相移网络、滤波等作用，在延时电路、滤波电路、整流电路等领域被广泛使用。但是，传统的集成电路工艺制作电容值较大的电容器件时，多采用金属之间隔离电介质的方式，这种方式会占用较大的面积，不利于芯片的小型化、集成化发展。进一步的，如果芯片对面积有着严格的要求，并且所使用的电容也要求较大，传统的方案将完全不能满足这样的电路需求。因此对于需要集成较大电容的场合，可以采用集成一个较小的电容，然后通过电路结构使其获得比较大的等效电容。

中国专利CN113904656B提供了一种等效电容模块、等效电容单电路及芯片，涉及模拟集成电路技术领域，等效电容电路由依次连接的启动模块、复合开关模块、等效电容模块组成，启动模块提供所需的基准电压、内部工作电压VDD，复合开关模块通过接收到的第一开关电压V1、第二开关电压V2来使等效电容模块正相输入端电压缓慢上升或下降，使正相输入端对gnd端表现为与电容相同的阻抗特性，从而等效电容模块可等效为一个纳法级电容，解决了集成电路无法集成超过几百皮法电容的技术问题，虽然相比于现有技术采用片外接方式在一定程度上简化了电路结构以及经济成本，但是其电路结构仍相对复杂，需要通过设置多个NPN管、PNP管形成启动模块和复合开关模块，导致其在工艺中仍占用较大面积。因此，如何提供一种解决上述技术问题的方案是目前本领域技术人员需要解决的问题。

发明内容

针对上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种电流镜型等效电容提升电路，能够在BiCMOS工艺下，在电路中使用较小的面积，即可获得和传统工艺中占用更大面积相同的等效电容。

为实施上述目的，本发明的技术方案如下：本发明提供了一种电流镜型等效电容提升电路，包括电容、等效MOS管、信号端和电流镜单元，所述电流镜单元包括N₁节点、N₂节点、N₃节点和N₄节点，所述N₁节点、N₂节点分别通过第一电阻、第二电阻接地，所述第一电阻阻值大于第二电阻阻值，所述N₃节点和N₄节点分别与第一电流源、第二电流源连接，所述第一电流源的电流值小于第二电流源的电流值，所述电容的第一极板与信号端连接，所述电容的第二极板与N₁节点连接，所述等效MOS管的漏极与信号端连接，所述等效MOS管的源极与N₂节点连接，所述等效MOS管的栅极与N₃节点连接。

进一步地，所述电流镜单元还包括互为镜像的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的集电极与所述N₃节点连接，所述第一晶体管的发射极与N₁节点连接，第二晶体管的集电极与所述N₄节点连接，所述第二晶体管的发射极与N₂节点连接，第一晶体管的基极与第二晶体管的基极连接，并与所述N₄节点连接。