[发明专利]检测电芯缺陷的方法、装置和计算机可读存储介质在审
申请号: | 202211132007.X | 申请日: | 2022-09-16 |
公开(公告)号: | CN115829921A | 公开(公告)日: | 2023-03-21 |
发明(设计)人: | 王智玉;王晞;江冠南 | 申请(专利权)人: | 宁德时代新能源科技股份有限公司 |
主分类号: | G06T7/00 | 分类号: | G06T7/00;G06T7/11;G06T7/136 |
代理公司: | 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 | 代理人: | 孙涛;毛威 |
地址: | 352100 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 缺陷 方法 装置 计算机 可读 存储 介质 | ||
1.一种检测电芯缺陷的方法,其特征在于,所述方法包括:
根据第一预设阈值确定电芯图像中电芯主体的第一分割图;
根据第二预设阈值确定所述电芯图像中极耳的第二分割图,其中,所述第二预设阈值小于所述第一预设阈值;
根据所述第一分割图和所述第二分割图,确定所述电芯的缺陷情况。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述第一分割图和所述第二分割图,确定所述电芯的缺陷情况,包括:
根据所述第一分割图和所述第二分割图,确定所述电芯的整体图,其中,所述整体图包括所述电芯主体和所述极耳;
根据所述整体图,确定所述电芯的缺陷情况。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据所述整体图,确定所述电芯的缺陷情况,包括:
根据所述整体图,确定所述极耳的拐点的信息,其中,所述极耳的拐点为所述极耳与所述电芯主体连接线的端点;
根据所述极耳的拐点的信息,确定所述电芯的缺陷情况。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述根据所述整体图,确定所述极耳的拐点的信息,包括:
根据所述整体图,确定第一方向上的像素和的统计图,其中,所述第一方向垂直于所述电芯主体的第一边缘线的方向,其中,所述电芯主体的第一边缘线为所述整体图中所述电芯主体的靠近所述极耳一端的边缘线;
根据所述第一方向上的像素和的统计图,确定所述极耳的拐点的信息。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述根据所述第一方向上的像素和的统计图,确定所述极耳的拐点的信息,包括:
根据第一目标区域的所述第一方向上的像素和的第一统计图,确定所述极耳的拐点的信息,其中,所述第一目标区域为所述整体图中所述电芯主体的第一边缘线到所述整体图的第一边界线之间的区域,所述整体图的第一边界线为所述整体图的靠近所述极耳一端的边界线。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述根据第一目标区域的所述第一方向上的像素和的第一统计图,确定所述极耳的拐点的信息,包括:
根据所述第一统计图中的凸起,确定所述极耳的拐点的信息。
7.根据权利要求5或6所述的方法,其特征在于,所述极耳的拐点包括沿所述第一边缘线的第一极耳的第一拐点和第二拐点,以及第二极耳的第一拐点和第二拐点;
所述根据所述极耳的拐点的信息,确定所述电芯的缺陷情况,包括:
根据所述第一统计图中,所述第一边缘线的第一区段、第二区段和第三区段对应的值,确定所述电芯是否具有隔离膜突出缺陷;
其中,所述第一区段为所述电芯主体的第一角点至所述第一极耳的第一拐点间的区段,所述第二区段为所述第一极耳的第二拐点至所述第二极耳的第一拐点间的区段,所述第三区段为所述第二极耳的第二拐点和所述电芯主体的第二角点间的区段,所述第一角点为所述电芯主体的所述第一边缘线上的靠近所述第一极耳的角点,所述第二角点为所述电芯主体的所述第一边缘线上的靠近所述第二极耳的角点。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述根据所述第一统计图中,所述第一边缘线的第一区段、第二区段和第三区段对应的值,确定所述电芯是否具有隔离膜突出缺陷,包括:
在所述第一区段、所述第二区段或所述第三区段对应的值大于或等于预设阈值的情况下,确定所述电芯具有隔离膜突出缺陷;或者,
在所述第一区段、所述第二区段和所述第三区段对应的值均小于预设阈值的情况下,确定所述电芯无隔离膜突出缺陷。
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