[发明专利]施密特触发器、芯片及电子设备在审

专利信息
申请号: 202211139836.0 申请日: 2022-09-19
公开(公告)号: CN115664384A 公开(公告)日: 2023-01-31
发明(设计)人: 张峰;张龙;赵以诚;马春宇 申请(专利权)人: 中国科学院自动化研究所
主分类号: H03K3/3565 分类号: H03K3/3565;H03K3/011
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 刘雯
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 施密特触发器 芯片 电子设备
【说明书】:

发明提供一种施密特触发器、芯片及电子设备,该施密特触发器包括:选通控制电路、电阻R1、电阻R2和电阻R3、电压比较电路和电压反相电路;电阻R1和电阻R2之间输出正向阈值电压,电阻R2和电阻R3之间输出负向阈值电压,选通控制电路向电压比较电路提供正向阈值电压或者负向阈值电压;电压比较电路基于输入信号和正向阈值电压(或负向阈值电压),得到输出信号;电压反相电路基于输出信号得到矩阵脉冲信号。本发明提供一种施密特触发器、芯片及电子设备能够用于提高施密特触发器输出的矩形脉冲信号的准确性。

技术领域

本发明涉及施密特触发器技术领域,尤其涉及一种施密特触发器、芯片及电子设备。

背景技术

在数字系统中,通常需要对输入信号(例如,在经过传输之后发生畸变的矩形脉冲信号,或者信号源产生的三角波信号等)进行滤波整形,得到矩形脉冲信号。

在施密特触发器对输入信号进行处理的过程中,在输入信号的幅度大于或等于正向阈值电压Vth+的情况下,输出高电平,在输入信号的幅度小于或等于负向阈值电压Vth-的情况下,输出低电平,上述高电平和低电平形成矩形脉冲信号。

在相关技术中,通常采用图1所示的施密特触发器内部的阈值电压产生电路输出Vth+和Vth-。其中,阈值电压产生电路包括电阻R1、电阻R2、互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)反相器G1和CMOS反相器G2,G1输出Vth+,G2输出Vth-。

在上述阈值电压产生电路中,受CMOS反相器的工艺角的影响,使得Vth+和Vth-容易发生变化,从而导致施密特触发器输出的矩形脉冲信号的准确性较差(即一致性较差)。

发明内容

本发明提供一种施密特触发器、芯片及电子设备,用以解决现有技术中施密特触发器输出的矩形脉冲信号的准确性较差的缺陷,实现提高施密特触发器输出的矩形脉冲信号的准确性。

本发明提供一种施密特触发器,包括:选通控制电路、电阻R1、电阻R2和电阻R3、电压比较电路和电压反相电路;其中,电阻R1一端连接电源,电阻R1的另一端连接电阻R2的一端,电阻R2的另一端连接电阻R3的一端,电阻R3的另一端接地;电阻R1和电阻R2之间输出正向阈值电压,电阻R2和电阻R3之间输出负向阈值电压;

选通控制电路,用于接收正向阈值电压和负向阈值电压,并基于电压反相电路提供的第一控制电压和第二控制电压,向电压比较电路提供正向阈值电压或者负向阈值电压;

电压比较电路,用于基于正向阈值电压或负向阈值电压,对输入信号进行整形处理,得到输出信号;

电压反相电路,用于对输出信号进行反相处理,得到矩阵脉冲信号。

根据本发明提供的一种施密特触发器,选通控制电路包括:PMOS管M25、NMOS管M26、PMOS管M27和NNOS管M28;

PMOS管M25的栅极接收第一控制电压,PMOS管M25的漏极连接NMOS管M26的源极,PMOS管M25的源极连接NMOS管M26的漏极,PMOS管M25的源极和NMOS管M26的漏极接收正向阈值电压;

NMOS管M28的栅极接收第一控制电压,NMOS管M28的源极连接PMOS管M27的漏极,NNOS管M28的漏极连接PMOS管M27的源极,PMOS管M27的源极和NMOS管M28的漏极接收负向阈值电压;

PMOS管M27的栅极连接NMOS管M26的栅极,PMOS管M27的栅极和NMOS管M26的栅极之间接收第二控制电压;

PMOS管M25的漏极和NMOS管M26的源极之间输出正向阈值电压,或者,PMOS管M27的漏极和NNOS管M28的源极之间输出负向阈值电压。

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