[发明专利]低功耗供电电路有效
申请号: | 202211140623.X | 申请日: | 2022-09-20 |
公开(公告)号: | CN115454188B | 公开(公告)日: | 2023-10-20 |
发明(设计)人: | 陆秦龙;白胜天;徐红如;李曙光 | 申请(专利权)人: | 南京英锐创电子科技有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 舒丁 |
地址: | 210000 江苏省南京市江北*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功耗 供电 电路 | ||
1.一种低功耗供电电路,其特征在于,包括:
电源电路;
第一MOS管,所述第一MOS管的漏极用于与所述电源电路连接,所述第一MOS管的栅极和源极短接,用于将流经所述第一MOS管的电流限制在第一预设值以下,其中,所述第一MOS管的导通阈值电压为零;
第二MOS管,所述第二MOS管的漏极与所述第一MOS管的源极连接,所述第二MOS管的漏极和栅极短接,用于将所述第一MOS管的栅极电压固定为第二预设值,以使所述第一MOS管工作在饱和区;
供电输出电路,分别与所述电源电路、所述第二MOS管的栅极、所述第二MOS管的源极连接,用于基于流经所述第一MOS管的电流、所述第二MOS管的栅极电压,将所述电源电路的供电电压转换为设定值输出。
2.根据权利要求1所述的供电电路,其特征在于,所述供电输出电路包括第三MOS管、第四MOS管、第一电阻模块、第二电阻模块,所述第三MOS管的漏极与所述第二MOS管的源极连接,所述第三MOS管的栅极与所述第一电阻模块的第一端连接,所述第三MOS管的源极与参考地连接,所述第一电阻模块的第二端与所述第四MOS管的源极连接,所述第四MOS管的栅极与所述第二MOS管的源极连接,所述第四MOS管的漏极与所述电源电路连接,所述第二电阻模块的第一端与所述第一电阻模块的第一端连接,所述第二电阻模块的第二端与所述参考地连接,其中:
所述第三MOS管,用于基于流经所述第一MOS管的电流,在所述第三MOS管的栅极输出基准电压;
所述第一电阻模块和所述第二电阻模块用于对所述基准电压进行分压,以在所述第一电阻模块的第二端输出第一供电电压;
所述第四MOS管,用于基于所述第一供电电压,在所述第四MOS管的栅极输出反馈电压,调整所述基准电压,以使所述第一供电电压维持在预设范围内。
3.根据权利要求2所述的供电电路,其特征在于,所述第一电阻模块包括:
多个级联的第五MOS管,上一级的第五MOS管的漏极与下一级的第五MOS管的源极连接,最上一级的第五MOS管的源极与所述第四MOS管的源极连接,最下一级的第五MOS管的漏极与所述第三MOS管的栅极连接,其中,所述第五MOS管为PMOS管,各所述第五MOS管的栅极和漏极短接。
4.根据权利要求2所述的供电电路,其特征在于,所述第二电阻模块包括:
多个级联的第五MOS管,上一级的第五MOS管的漏极与下一级的第五MOS管的源极连接,最上一级的第五MOS管的源极与所述第一电阻模块的第一端连接,最下一级的第五MOS管的漏极与所述参考地连接,其中,所述第五MOS管为PMOS管,各所述第五MOS管的栅极和漏极短接。
5.根据权利要求2-4任一项所述的供电电路,其特征在于,所述供电输出电路还包括:
第一稳压电容,所述第一稳压电容的第一端与所述第一电阻模块的第一端连接,所述第一稳压电容的第二端与所述第一电阻模块的第二端连接,用于对所述第一供电电压进行滤波。
6.根据权利要求2-4任一项所述的供电电路,其特征在于,所述供电输出电路还包括:
第二稳压电容,所述第二稳压电容的第一端与所述第四MOS管的栅极连接,所述第二稳压电容的第二端与所述参考地连接,用于对所述反馈电压进行滤波。
7.根据权利要求4所述的供电电路,其特征在于,所述供电输出电路还包括:第六MOS管、电阻,所述第六MOS管的栅极与所述第二电阻模块中的一个第五MOS管的源极连接,所述第六MOS管的源极与所述电阻的第一端连接,所述电阻的第二端与所述参考地连接;
所述第六MOS管的漏极用于输出偏置电流。
8.根据权利要求1所述的供电电路,其特征在于,所述供电输出电路包括:
第七MOS管,所述第七MOS管的栅极与所述第二MOS管的栅极连接,所述第七MOS管的漏极与所述电源电路连接,所述第七MOS管的源极用于输出第二供电电压,其中,所述第七MOS管的导通程度由所述第二MOS管的栅极电压确定。
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