[发明专利]用于谐振器制作的方法、体声波谐振器

权利要求书

1.一种用于谐振器制作的方法，待处理结构包括底电极层、顶电极层和设置在所述底电极层和所述顶电极层之间的压电层；其特征在于，用于谐振器制作的方法包括：

刻蚀所述底电极层，暴露出压电层；

利用键合层将刻蚀后的待处理结构与衬底键合，所述键合层、所述压电层、所述底电极层和所述衬底围合形成空腔；第一区域覆盖所述压电层上预设的待刻蚀区域；所述第一区域的面积大于待刻蚀区域的面积；所述第一区域为键合层与底电极层围合形成的孔所处区域；

刻蚀所述顶电极层，暴露出压电层；第二区域覆盖所述压电层上预设的待刻蚀区域；所述第二区域的面积大于待刻蚀区域的面积；所述第二区域为顶电极层与顶电极层围合形成的孔所处区域；

刻蚀所述顶电极层，暴露出压电层后，还包括：刻蚀待刻蚀区域，形成释放孔。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待处理结构还包括第一钝化层，所述第一钝化层设置在底电极层远离所述压电层的一侧；刻蚀所述底电极层，暴露出压电层，包括：

刻蚀所述第一钝化层和所述底电极层，暴露出压电层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待处理结构还包括第二钝化层，所述第二钝化层设置在顶电极层远离所述压电层的一侧；刻蚀所述顶电极层，暴露出压电层，包括：

刻蚀所述顶电极层和所述第二钝化层，暴露出压电层。

4.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，所述第一区域的面积小于所述第二区域的面积。

5.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，所述第一区域和待刻蚀区域的形状均为圆形；第一孔径差值的一半大于或等于4微米；所述第一孔径差值为第一区域的孔径减去待刻蚀区域的孔径。

6.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，所述第二区域和待刻蚀区域的形状均为圆形；第二孔径差值的一半大于或等于4微米；所述第二孔径差值为第二区域的孔径减去待刻蚀区域的孔径。

7.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，待刻蚀区域的数量大于或等于2，且待刻蚀区域两两之间的距离大于预设距离。

8.一种体声波谐振器，其特征在于，所述体声波谐振器由执行权利要求1至7任一项所述的用于谐振器制作的方法制得。

9.根据权利要求8所述的体声波谐振器，其特征在于，包括：

压电层，设置在顶电极层和底电极层之间；

所述顶电极层，设置有通孔，所述通孔暴露出压电层；所述通孔所处区域为第二区域；所述第二区域覆盖所述压电层上预设的待刻蚀区域；所述第二区域的面积大于待刻蚀区域的面积；

所述底电极层，与所述压电层的一端连接，使所述压电层的另一端暴露在所述底电极层外；

键合层，与暴露在所述底电极层外的压电层和所述底电极层远离所述压电层的一侧连接；所述键合层与所述底电极层围合形成的孔所处区域为第一区域；所述第一区域覆盖所述压电层上预设的待刻蚀区域；所述第一区域的面积大于待刻蚀区域的面积；

衬底，连接所述键合层，使所述键合层、所述压电层、所述底电极层和所述衬底围合形成空腔。