[发明专利]用于谐振器制作的方法、体声波谐振器

说明书

本申请涉及谐振器技术领域，公开一种用于谐振器制作的方法，包括：刻蚀底电极层，暴露出压电层；利用键合层将刻蚀后的待处理结构与衬底键合，键合层、压电层、底电极层和衬底围合形成空腔；第一区域覆盖压电层上预设的待刻蚀区域；第一区域的面积大于待刻蚀区域的面积；第一区域为键合层与底电极层围合形成的孔所处区域；刻蚀顶电极层，暴露出压电层；第二区域覆盖压电层上预设的待刻蚀区域；第二区域的面积大于待刻蚀区域的面积；第二区域为顶电极层与顶电极层围合形成的孔所处区域。这样，在进行打孔时，只需要对压电层进行打孔，不会使得顶电极层和压电层的边缘不光滑。能够提高制作出的谐振器的ESD能力。本申请还公开一种体声波谐振器。

技术领域

本申请涉及谐振器技术领域，例如涉及一种用于谐振器制作的方法、体声波谐振器。

背景技术

通常，体声波谐振器都具有空腔。为了平衡空腔内的气压，通常会在体声波谐振器上设置释放孔或通气孔。同时，为了确保体声波谐振器的性能，在制作完体声波谐振器后，通常会对体声波谐振器施加高压，以测试体声波谐振器的ESD（Electro-Staticdischarge，静电释放）能力。

相关技术中，通常在制作完谐振器后，对顶电极层、压电层和底电极层打孔，从而形成释放孔或通气孔。由于是打孔直接贯穿顶电极层、压电层和底电极层这三层，因此顶电极层、压电层和底电极层位于释放孔所处位置的边缘近乎齐平。此时，由于顶电极层、压电层和底电极层位于释放孔位置的边缘近乎齐平，ESD的失效模式会处于压电层位于释放孔所处位置的边缘。而在打孔的过程中，可能造成顶电极层和底电极层位于释放孔所处位置的边缘出现损伤，使得顶电极层和压电层位于释放孔所处位置的边缘不光滑。此时，在对底电极层和顶电极层施加高压的情况下，会使电荷聚集在释放孔所处位置，很容易在释放孔所处位置形成ESD放电，从而导致ESD能力下降。

在实现本申请实施例的过程中，发现相关技术中至少存在如下问题：现有的制作谐振器的工艺制作出来的谐振器，谐振器的ESD能力较低。

发明内容

为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述，也不是要确定关键／重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。

本发明实施例提供一种用于谐振器制作的方法、体声波谐振器，以提高谐振器的ESD能力。

在一些实施例中，待处理结构包括底电极层、顶电极层和设置在所述底电极层和所述顶电极层之间的压电层；用于谐振器制作的方法，包括：刻蚀所述底电极层，暴露出压电层；利用键合层将刻蚀后的待处理结构与衬底键合，所述键合层、所述压电层、所述底电极层和所述衬底围合形成空腔；第一区域覆盖所述压电层上预设的待刻蚀区域；所述第一区域的面积大于待刻蚀区域的面积；所述第一区域为键合层与底电极层围合形成的孔所处区域；刻蚀所述顶电极层，暴露出压电层；第二区域覆盖所述压电层上预设的待刻蚀区域；所述第二区域的面积大于待刻蚀区域的面积；所述第二区域为顶电极层与顶电极层围合形成的孔所处区域。

在一些实施例中，所述待处理结构还包括第一钝化层，所述第一钝化层设置在底电极层远离所述压电层的一侧；刻蚀所述底电极层，暴露出压电层，包括：刻蚀所述第一钝化层和所述底电极层，暴露出压电层。

在一些实施例中，所述待处理结构还包括第二钝化层，所述第二钝化层设置在顶电极层远离所述压电层的一侧；刻蚀所述顶电极层，暴露出压电层，包括：刻蚀所述顶电极层和所述第二钝化层，暴露出压电层。

在一些实施例中，刻蚀所述顶电极层，暴露出压电层后，还包括：刻蚀待刻蚀区域，形成释放孔。

在一些实施例中，所述第一区域的面积小于所述第二区域的面积。

在一些实施例中，所述第一区域和待刻蚀区域的形状均为圆形；第一孔径差值的一半大于或等于4微米；所述第一孔径差值为第一区域的孔径减去待刻蚀区域的孔径。