[发明专利]芯片封装结构及其制作方法有效
申请号: | 202211154544.4 | 申请日: | 2022-09-22 |
公开(公告)号: | CN115249679B | 公开(公告)日: | 2023-01-31 |
发明(设计)人: | 杨先方;张江华 | 申请(专利权)人: | 江苏长电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L25/16;H01L23/31;H01L23/64;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 沈晓敏 |
地址: | 214430 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 封装 结构 及其 制作方法 | ||
本发明揭示了一种芯片封装结构及其制作方法,封装结构包括基板、至少一芯片、多个导电连接件和至少一电感,芯片设置于基板上表面并与基板电性连接,电感设置于芯片上方,导电连接件通过焊接层固定连接于基板,电感通过导电连接件与基板电性连接,其中,导电连接件内部设置一通孔,通孔连通导电连接件的上表面和下表面。本发明能够减小在回流焊工艺中导电连接件和基板接触面之间焊接层形成的空洞面积,以及形成的空洞内气体也可通过通孔顺利从导电连接件上表面排出,防止在后期工艺制作中空洞内气体受热膨胀,出现推动导电连接件上移的问题,提高导电连接件与基板之间、电感与基板之间的焊接质量。
技术领域
本发明涉及半导体封装技术领域,尤其涉及一种芯片封装结构及其制作方法。
背景技术
常用技术中芯片与电感之间的封装结构,由于产品性能设计要求,必须采用大铜柱连接塑封体和大电感,具体为芯片倒装设置于基板上表面,塑封料覆盖基板上表面及铜柱和芯片侧表面,并暴露出铜柱和芯片上表面,芯片上方设置电感,铜柱与电感周边的引脚电连接。
但是,对于现有这种封装结构中,铜柱底部与基板上表面接触面上通常会刷大量锡膏,使得铜柱焊接固定到基板上,在回流焊工艺中,铜柱底部的锡膏会出现大面积的锡珠,铜柱底部部分区域易形成空洞,回流焊工艺之后的封装产品在塑封过程中受热,铜柱底部的空洞气体膨胀推动铜柱上移,引起铜柱上表面和塑封料上表面不共面的问题,且随着铜柱向上移动,铜柱与基板之间、铜柱与电感之间的焊接质量很难保证。
发明内容
本发明的目的在于提供一种芯片封装结构及其制作方法,以提高导电连接件与基板之间、电感与基板之间的焊接质量。
为实现上述发明目的之一,本发明一实施方式提供一种芯片封装结构,包括基板、至少一芯片、多个导电连接件和至少一电感,所述芯片设置于所述基板上表面并与所述基板电性连接,所述电感设置于所述芯片上方,所述导电连接件通过一焊接层固定连接于所述基板,所述电感通过所述导电连接件与所述基板电性连接,其中,所述导电连接件内部设置一通孔,所述通孔连通所述导电连接件的上表面和下表面。
作为本发明一实施方式中的进一步改进,所述导电连接件下表面连接所述通孔的部分区域朝内凹陷形成至少一条第一沟槽,所述第一沟槽至少将所述导电连接件下表面分成两个焊接区域,所述焊接层设置于所述焊接区域与所述基板之间。
作为本发明一实施方式中的进一步改进,所述导电连接件下表面连接所述通孔的部分区域朝内凹陷形成两条第一沟槽,所述两条第一沟槽相交呈十字型,将所述导电连接件下表面分成四个焊接区域,所述通孔连接于所述两条第一沟槽相交处,所述焊接层设置于所述焊接区域与所述基板之间。
作为本发明一实施方式中的进一步改进,所述导电连接件上表面连接所述通孔的部分区域朝内凹陷形成至少一条第二沟槽,所述电感周侧还设置电连接部,所述电感通过所述电连接部电性连接于所述导电连接件,所述电连接部与所述导电连接件之间还设置一导电胶层,所述导电胶层不完全覆盖所述第二沟槽。
作为本发明一实施方式中的进一步改进,所述导电连接件为铜柱。
本发明一实施方式提供一种芯片封装结构的制作方法,包括步骤:
提供一基板和至少一芯片,将所述芯片贴装于所述基板上表面,并与所述基板电性连接;
提供多个导电连接件,在所述导电连接件内部形成一通孔,所述通孔连通所述导电连接件的上表面和下表面,将所述导电连接件通过一焊接层贴装于所述基板上表面;
提供至少一电感,将所述电感贴装于所述芯片上方,通过所述导电连接件与所述基板电性连接。
作为本发明一实施方式中的进一步改进,所述提供多个导电连接件,在所述导电连接件内部形成一通孔,所述通孔连通所述导电连接件的上表面和下表面,具体包括:
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