[发明专利]磁流变阻尼器容积补偿结构

权利要求书

1.一种采用旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构，其特征在于：包括所述缸筒(A1)和活塞系统I(A2)，以及至少一根旁通细管I(A3)。

所述缸筒(A1)是一个中空的缸体，其内部具有将中空内腔分隔为上下两部分的隔板I(A101)；所述隔板I(A101)的上方为上液腔I(A104)，所述隔板I(A101)的下方为下液腔I(A105)。

所述上液腔I(A104)和下液腔I(A105)通过旁通细管I(A3)连通；

所述活塞系统I(A2)包括活塞杆I(A201)、活塞I(A202)和励磁线圈I(A203)；

所述活塞杆I(A201)的上端穿过隔板I(A101)和缸筒(A1)上方的顶板I(A102)；所述活塞杆I(A201)的下端连接活塞I(A202)；所述活塞I(A202)位于下液腔I(A105)中；

所述活塞I(A202)的侧面安装有励磁线圈I(A203)；

所述缸筒(A1)的缸体内充入磁流变液。

2.根据权利要求1所述的一种采用旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构，其特征在于,所述缸筒(A1)还包括底板I(A103)；

所述隔板I(A101)设有上活塞孔I(A1011)；

所述隔板I(A101)和顶板I(A102)之间的缸体侧壁上设有上通孔I(A106)；

所述隔板I(A101)和底板I(A103)之间的缸体侧壁上设有下通孔I(A107)；

所述顶板I(A102)上设有下活塞孔I(A1021)；

所述底板I(A103)位于缸筒(A1)的底部；

所述活塞杆I(A201)的上端通过上活塞孔I(A1011)和下活塞孔I(A1021)伸出缸筒(A1)。

3.根据权利要求1或2任一项所述的一种采用旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构，其特征在于，所述容积补偿结构还包括充气阀I(A4)、上连接阀I(A5)、下连接阀I(A6)；

所述顶板I(A102)上设有通气孔I(A1022)；

所述旁通细管I(A3)通过上连接阀I(A5)和下连接阀I(A6)连通上液腔I(A104)和下液腔I(A105)；

所述充气阀I(A4)安装在通气孔I(A1022)处。

所述上连接阀I(A5)和下连接阀I(A6)分别安装在上通孔I(A106)和下通孔I(A107)处。

4.一种采用双筒无旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构，其特征在于，包括内外缸筒结构I和活塞系统II(B2)；

所述内外缸筒结构I包括外缸筒I(B1)和内缸筒I(B3)；

所述外缸筒I(B1)是一个中空的缸体，其内部具有将中空内腔分隔为上下两部分的隔板II(B101)；

所述内缸筒I(B3)位于外缸筒I(B1)内，且在隔板II(B101)的下部分；

所述内缸筒I(B3)由隔板II(B101)和外缸筒I(B1)的底板II(B103)封堵；

所述内缸筒I(B3)和外缸筒I(B1)的侧壁之间留有空隙，该空隙部分为储油腔I(B106)；

所述隔板II(B101)的上方为上液腔II(B104)，内缸筒I(B3)的内部为下液腔II(B105)；

所述储油腔I(B106)通过隔板II(B101)上的上通孔II(B1012)与上液腔II(B104)连通；

所述储油腔I(B106)通过内缸筒I(B3)上的环形通孔I(B301)与下液腔II(B105)连通；

所述活塞系统II(B2)包括活塞杆II(B201)、活塞II(B202)和励磁线圈II(B203)；

所述活塞杆II(B201)的上端穿过隔板II(B101)和外缸筒I(B1)上方的顶板II(B102)；

所述活塞杆II(B201)的下端连接活塞II(B202)；所述活塞II(B202)位于下液腔II(B105)中；

所述活塞II(B202)的侧面安装有励磁线圈II(B203)；

所述外缸筒I(B1)的缸体内充入了磁流变液。