[发明专利]基于导电网格转印的电磁屏蔽光学窗及其制备方法

权利要求书

1.一种基于导电网格转印的电磁屏蔽光学窗的制备方法，其特征在于，包括：

提供一基板，所述基板上设有凹槽网格结构；

在所述凹槽网格结构内形成导电网格；

将所述导电网格由所述基板上转移至中转膜上；

将所述导电网格由所述中转膜上转移至光学窗表面固定，得到电磁屏蔽光学窗。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述将所述导电网格由所述基板上转移至中转膜上的步骤包括：

对所述基板进行绕折操作；

将所述基板放置在所述中转膜表面，使所述导电网格与所述中转膜接触；

压合所述基板和所述中转膜，使所述导电网格粘合在所述中转膜上，揭下所述基板。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述将所述导电网格由所述中转膜上转移至光学窗表面固定的步骤包括：

在所述光学窗表面设置粘合剂层；

将所述中转膜放置在所述光学窗表面，使所述导电网格与所述粘合剂层接触；

热压使得所述导电网格粘合在所述粘合剂层上，揭下中转膜。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述在所述光学窗表面设置粘合剂层的步骤具体为：采用旋涂、喷涂或打印法在所述光学窗表面形成所述粘合剂。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述粘合剂层的厚度为50nm-5μm，所述粘合剂层的材料包括PVB、PVB，PVA、PET，PU、TPU和双组分环氧树酯中的一种或几种组合。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述热压使得所述导电网格粘合在所述粘合剂层上，揭下中转膜的步骤之后，还包括：

去除所述粘合剂层与所述导电网格的镂空处对应的部分，以露出所述光学窗。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述去除所述粘合剂层与所述导电网格的镂空处对应的部分的步骤具体为采用刻蚀工艺去除与导电网格的镂空处对应的部分所述粘合剂层，所述刻蚀工艺包括等离子体刻蚀、溶液法刻蚀、派瑞林介质刻蚀和ICP刻蚀等的一种或多种组合。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述中转膜为聚合物薄膜，且中转膜为PU膜、PI膜、PET膜、TPU膜或PVB膜。

9.一种采用权利要求1至8任一所述的制备方法制备得到的电磁屏蔽光学窗。

10.根据权利要求9所述的电磁屏蔽光学窗，其特征在于，所述电磁屏蔽光学窗的导电网格的线宽为2～10μm，深宽比为1：2～2：1，所述电磁屏蔽光学窗在100nm-14μm波段范围内透光率为20～90％，方阻为0.01～10Ω/方块，在300MHz-40GHz频段屏蔽能效为10～100dB。