[发明专利]短路式大功率宽带波导径向合成器在审

专利信息
申请号: 202211163444.8 申请日: 2022-09-23
公开(公告)号: CN115603019A 公开(公告)日: 2023-01-13
发明(设计)人: 薛发秋;李秀兰 申请(专利权)人: 成都华络通信科技有限公司
主分类号: H01P5/12 分类号: H01P5/12;H01P5/103;H01P3/123
代理公司: 丽水创智果专利代理事务所(普通合伙) 33278 代理人: 杨梦婧
地址: 610000 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 短路 大功率 宽带 波导 径向 合成器
【说明书】:

发明涉及功率合成器技术领域,具体地说,涉及短路式大功率宽带波导径向合成器。其包括总波导、盖板和径向合成器,径向合成器设有同轴探针,总波导设有止损结构,总波导开设有总口,总波导设有波导口,波导口设有波导同轴转换结构,盖板开设有同轴空气槽,径向合成器设有同轴内导体,径向合成器设有斜面脊波导,径向合成器侧壁开设有多个分口。本发明通过设有阶梯状结构的波导同轴转换结构和圆锥面、斜面脊波导,当电磁波通过波导同轴转换结构时,电磁波沿着波导同轴转换结构的阶梯状结构能够实现电磁波在径向波与轴向波之间的转化,并且经圆锥面的斜面将信号能量均分射出。

技术领域

本发明涉及功率合成器技术领域,具体地说,涉及短路式大功率宽带波导径向合成器。

背景技术

功率合成器常用在微波通信系统中,用于实现对多路信号的功率进行合成,广泛应用于高功率发射机、测试系统、通信基站等,功率容量提高会使信号抗干扰能力、传输距离等得到提升。

传统的径向合成器受总口连接器功率容量的限制,当频率变高时,其功率容量会降低,相应的为了追求功率容量,则电磁波的频率会降低,无法满足传输高频率高功率电磁波的需求,因此提出短路式大功率宽带波导径向合成器。

发明内容

本发明的目的在于提供短路式大功率宽带波导径向合成器,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本发明目的在于,提供了短路式大功率宽带波导径向合成器,包括总波导,所述总波导底部连接有盖板,所述盖板底部连接有径向合成器,所述径向合成器外壁上对称设有多个同轴探针,所述总波导侧表面设有止损结构,所述总波导中部开设有贯穿其上下表面的总口,所述总波导底部设有波导口,所述总波导通过设置的波导口与所述盖板上表面连接,所述波导口内设有波导同轴转换结构,所述盖板中部对应开设有贯穿其上下表面的同轴空气槽,所述同轴空气槽顶部与所述总口底部相连通,所述径向合成器内底部上表面中部设有同轴内导体,所述同轴内导体顶部穿过所述同轴空气槽,所述同轴内导体顶部与所述波导同轴转换结构底部连接,所述径向合成器内对称设有多个斜面脊波导,所述径向合成器侧壁对应开设有多个分口,所述同轴探针位于所述分口内,所述同轴探针位于所述径向合成器内一端与所述斜面脊波导连接

作为本技术方案的进一步改进,所述总波导底部设有波导口,所述总波导通过设置的波导口与所述盖板上表面连接。

作为本技术方案的进一步改进,所述波导同轴转换结构包括多个与所述总口内壁贴合的规格不一的矩形块,多个矩形块形成阶梯状结构,所述阶梯状结构设有连接块,所述连接块底部与所述同轴内导体顶部接触。

作为本技术方案的进一步改进,所述同轴探针为SMA连接器。

作为本技术方案的进一步改进,所述径向合成器内底部上表面设有圆锥面,所述斜面脊波导为梯形结构,所述同轴内导体嵌设于所述圆锥面顶部中部。

作为本技术方案的进一步改进,所述盖板底部靠边缘处设有密合条,所述径向合成器上表面边缘处对应开设有密合槽,所述密合条与所述密合槽卡接配合,所述盖板表面对称开设有多个螺口,所述螺口内设有螺钉,所述密合槽表面开设有底口,所述螺钉底部与所述底口螺纹连接。

作为本技术方案的进一步改进,所述总波导上表面开设有法兰面,所述法兰面表面贴合有保护膜片。

作为本技术方案的进一步改进,所述止损结构包括止损罩以及设置于止损罩两侧的散热体,所述止损罩内壁开设有内槽,所述内槽内嵌设有屏蔽罩,所述屏蔽罩与所述总波导侧表面接触,所述屏蔽罩外表面和所述内槽内表面均开设有导热槽,所述散热体包括导热管以及设置于止损罩侧表面的风机,所述导热管包括内管以及与内管相连通的外管,其中内管位于所述导热槽内,所述外管位于所述止损罩与所述风机之间,所述风机远离所述止损罩一侧设有栅板。

作为本技术方案的进一步改进,所述屏蔽罩为银板。

与现有技术相比,本发明的有益效果:

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