[发明专利]测试结构和半导体器件

说明书

本申请涉及一种测试结构和半导体器件。测试结构包括：测试单元，包括第一测试单元及第二测试单元，第一测试单元及第二测试单元均包括密集区及稀疏区，第一测试单元与第二测试单元于同一平面的正投影不交叠；接触孔测试单元，包括第一接触孔测试单元及第二接触孔测试单元，第一接触孔测试单元及第二接触孔测试单元均包括密集区及稀疏区，第一接触孔测试单元与第二接触孔测试单元于同一平面的正投影不交叠；其中，第一测试单元、第二测试单元、第一接触孔测试单元及第二接触孔测试单元均位于不同层；测试单元与接触孔测试单元于同一平面的正投影相交叠。可以解决测试结构中密集区和稀疏区在进行制样时需要分开制样的问题。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种测试结构和半导体器件。

背景技术

随着半导体工艺技术的不断发展，半导体器件制造过程中需要对各种关键结构层进行测试分析，评估其形貌和尺寸数据是否满足工艺的要求。

目前结构分析对旋转片的测试结构进行制样时，因为旋转片的解理面与测试结构的常规摆放位置存在一定角度，而测试结构中不同测试图形也均具有特定的角度，因此不是所有测试图形的角度都能与解理面对应，导致采用常规裂片的方式无法一步得到全部图形的正向完整的截面形貌，测试结构中同一层测试单元的密集区和稀疏区、不同层的测试单元在进行制样时需要分开制样，耗费较多人力物力。

发明内容

基于此，有必要针对上述的测试结构中同一层测试单元的密集区和稀疏区、不同层的测试单元在进行制样时需要分开制样的问题提供一种测试结构和半导体器件。

为了实现上述目的，一方面，本申请提供了一种测试结构，所述测试结构包括：

测试单元，包括第一测试单元及第二测试单元，所述第一测试单元及所述第二测试单元均包括密集区及稀疏区，所述第一测试单元与所述第二测试单元于同一平面的正投影不交叠；

接触孔测试单元，包括第一接触孔测试单元及第二接触孔测试单元，所述第一接触孔测试单元及所述第二接触孔测试单元均包括密集区及稀疏区，所述第一接触孔测试单元与所述第二接触孔测试单元于同一平面的正投影不交叠；

其中，所述第一测试单元、所述第二测试单元、所述第一接触孔测试单元及所述第二接触孔测试单元均位于不同层；所述测试单元与所述接触孔测试单元于同一平面的正投影相交叠。

在其中一个实施例中，所述第一测试单元包括：第一测试子单元、第二测试子单元和第三测试子单元；所述第一测试子单元包括：

第一测试条，包括相对的第一端及第二端；

多个第二测试条，平行间隔排布于所述第一测试条相对的两侧，自所述第一测试条的第一端向所述第一测试条的第二端延伸；

多个第三测试条，平行间隔排布于所述第一测试条相对的两侧，自所述第一测试条的第二端向所述第一测试条的第一端延伸，所述第三测试条与所述第二测试条之间具有间距；

所述第二测试子单元包括：

第四测试条，与所述第一测试条相平行或相垂直或成45°角，与所述第一测试条具有间距；

多个第五测试条，平行间隔排布于所述第四测试条相对的两侧，所述第五测试条的长度小于所述第四测试条的长度；

所述第三测试子单元包括：

第六测试条，包括相对的第一端及第二端，与所述第一测试条相垂直或成45°角，以及与所述第四测试条相垂直或成45°角；

多条第七测试条，平行间隔排布于所述第六测试条相对的两侧，自所述第六测试条的第一端向所述第六测试条的第二端延伸。

在其中一个实施例中，所述第二测试单元包括：第四测试子单元、第五测试子单元和第六测试子单元；所述第四测试子单元包括：