[发明专利]封装基板及其制备方法和封装基板散热检测系统及方法在审
申请号: | 202211167053.3 | 申请日: | 2022-09-23 |
公开(公告)号: | CN115551206A | 公开(公告)日: | 2022-12-30 |
发明(设计)人: | 罗永红;杜玲玲;李君红;查晓刚;王建彬;张军 | 申请(专利权)人: | 安捷利美维电子(厦门)有限责任公司;上海美维科技有限公司 |
主分类号: | H05K3/00 | 分类号: | H05K3/00;H05K1/02;H05K3/02 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 361000 福建省厦门市中国(福建)自*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 及其 制备 方法 散热 检测 系统 | ||
1.一种封装基板的制备方法,其特征在于,所述封装基板的制备方法包括:
S11:提供附有可解离膜的支撑板;
S12:于所述可解离膜上采用干法制程制备第一金属块;
S13:于所述可解离膜及所述第一金属块上形成第一介电层,以将所述第一金属块塑封,得到封装基板结构;
S14:于所述封装基板结构表面形成第一金属种子层;
S15:于所述第一金属种子层上形成第一金属盘及第一线路;
S16:通过所述可解离膜去除所述支撑板,并反转所述封装基板结构;
S17:于所述封装基板结构表面依次形成第二金属种子层及第二金属盘和第二线路,其中,所述第一金属种子层、所述第一金属盘及所述第一线路与所述第二金属种子层、所述第二金属盘及所述第二线路位于所述封装基板结构的相对两侧,得到所述封装基板。
2.根据权利要求1所述的封装基板的制备方法,其特征在于:当所述封装基板的高度小于预设高度的封装基板时,在步骤S15后重复进行步骤S12至S15至少一次,直至形成所述预设高度的封装基板。
3.根据权利要求2所述的封装基板的制备方法,其特征在于:当多次重复进行形成所述金属块的步骤时,所述金属块的类型分为贯穿型金属块及半埋式金属块。
4.根据权利要求1所述的封装基板的制备方法,其特征在于,所述封装基板的制备方法还包括于所述封装基板上下表面进行阻焊工艺的步骤,保护所述封装基板的外层结构不被氧化。
5.根据权利要求1所述的封装基板的制备方法,其特征在于:所述第一金属块为铜块,所述铜块的高度范围为5μm~80μm。
6.根据权利要求1所述的封装基板的制备方法,其特征在于:所述干法制程为3D打印技术。
7.根据权利要求6所述的封装基板的制备方法,其特征在于:所述3D打印技术制备所述第一金属块所用的打印材料为包括导电颗粒银及铜的混合浆料或纯金属纳米浆料中的一种。
8.根据权利要求1所述的封装基板的制备方法,其特征在于,制备所述第一金属块的方法还包括:首先,形成所述第一介电层时,所述第一介电层顶部高于所述第一金属块,然后于所述第一金属块上方的所述第一介电层中形成贯穿的散热孔,并填孔,形成金属化层;或在需要打印所述第一金属块的四周先形成一圈油墨栅栏,再进行所述第一金属块的打印,并去除所述油墨栅栏;或在所述可解离膜上贴干膜,然后曝光、显影,再进行所述第一金属块的打印,并去除所述干膜。
9.一种封装基板,其特征在于,所述封装基板包括:如权利要求1~8中任意一项所述的封装基板的制备方法所制备的封装基板。
10.一种封装基板散热检测系统,其特征在于,所述封装基板散热检测系统包括:封装基板、发热元器件、热电耦、计算机及红外热像仪;所述热电耦一端连接贴装在所述封装基板上的所述发热元器件,另一端连接所述计算机。
11.一种封装基板散热检测方法,其特征在于,所述封装基板散热检测方法包括:
S21:提供权利要求10所述的封装基板散热检测系统;
S22:所述热电耦收集所述发热元器件的热能,再转化为电量显示在计算机上;
S23:利用所述红外热像仪收集所述发热元器件的温度数据;
S24:将上述数据进行记录与整理,并进行比对分析。
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