[发明专利]用于汽车启动的MOS结构、制作方法及汽车启动系统

权利要求书

1.用于汽车启动的MOS结构，其特征在于：包括基岛(10)、设置于所述基岛(10)上的第一MOS管(20)和第二MOS管(30)，以及密封所述基岛(10)、所述第一MOS管(20)和所述第二MOS管(30)的塑封体(40)，所述第一MOS管(20)的栅极连接于所述第二MOS管(30)的栅极，所述第一MOS管(20)的漏极连接于所述第二MOS管(30)的漏极。

2.根据权利要求1所述的用于汽车启动的MOS结构，其特征在于：所述第一MOS管(20)的栅极与所述第二MOS管(30)的栅极、所述第一MOS管(20)的漏极与所述第二MOS管(30)的漏极均通过连接线(60)相连接。

3.根据权利要求1所述的用于汽车启动的MOS结构，其特征在于：所述第一MOS管(20)包括第一P型衬底(21)、第一N型沟槽(22)、第二N型沟槽(23)、第一氧化层(24)、第一栅极金属层(25)、第一漏极延伸层(26)、第一源极金属层(27)和第一绝缘层(28)，所述第一P型衬底(21)的一侧固定于所述基岛(10)上，所述第一N型沟槽(22)开设于所述第一P型衬底(21)背离所述基岛(10)的一侧以形成第一源区(50)，所述第二N型沟槽(23)开设于所述第一P型衬底(21)背离所述基岛(10)的一侧以形成第一漏区(51)，所述第一氧化层(24)覆盖所述第一P型衬底(21)背离所述基岛(10)的一侧，所述第一源极金属层(27)与所述第一源区(50)相连，所述第一漏极延伸层(26)与所述第一漏区(51)相连，所述第一绝缘层(28)设置于所述第一源极金属层(27)和所述第一漏极延伸层(26)之间，所述第一栅极金属层(25)设置于所述第一绝缘层(28)上；

所述第二MOS管(30)包括第二P型衬底(31)、第三N型沟槽(32)、第四N型沟槽(33)、第二氧化层(34)、第二栅极金属层(35)、第二漏极延伸层(36)、第二源极金属层(37)和第二绝缘层(38)，所述第二P型衬底(31)的一侧固定于所述基岛(10)上，所述第三N型沟槽(32)开设于所述第二P型衬底(31)背离所述基岛(10)的一侧以形成第二源区(52)，所述第四N型沟槽(33)开设于所述第二P型衬底(31)背离所述基岛(10)的一侧以形成第二漏区(53)，所述第二氧化层(34)覆盖所述第二P型衬底(31)背离所述基岛(10)的一侧，所述第二源极金属层(37)与所述第二源区(52)相连，所述第二漏极延伸层(36)与所述第二漏区(53)相连，所述第二绝缘层(38)设置于所述第二源极金属层(37)和所述第二漏极延伸层(36)之间，所述第二栅极金属层(35)设置于所述第二绝缘层(38)上；

所述第一漏极延伸层(26)与所述第二漏极延伸层(36)一体成型。

4.根据权利要求3所述的用于汽车启动的MOS结构，其特征在于：所述第一栅极金属层(25)与所述第二栅极金属层(35)一体成型。

5.根据权利要求3所述的用于汽车启动的MOS结构，其特征在于：所述第一绝缘层(28)和所述第二绝缘层(38)的材质均为二氧化硅或者硼磷硅玻璃。

6.根据权利要求1所述的用于汽车启动的MOS结构，其特征在于：还包括第一引线脚、第二引线脚和控制引脚，所述第一MOS管(20)的源极连接于所述第一引线脚，所述第二MOS管(30)的源极连接于所述第二引线脚，所述第一MOS管(20)的栅极连接于所述控制引脚。