[发明专利]用于汽车启动的MOS结构、制作方法及汽车启动系统在审

专利信息
申请号: 202211167322.6 申请日: 2022-09-23
公开(公告)号: CN115483203A 公开(公告)日: 2022-12-16
发明(设计)人: 谢宗营;谢颜童悦 申请(专利权)人: 深圳市卡贝电子技术有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L21/48;H01L23/495
代理公司: 北京维正专利代理有限公司 11508 代理人: 李继乾
地址: 518000 广东省深圳市龙华区龙华街道松和*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 用于 汽车 启动 mos 结构 制作方法 系统
【说明书】:

本申请涉及用于汽车启动的MOS结构、制作方法及汽车启动系统,其包括基岛、设置于所述基岛上的第一MOS管和第二MOS管,以及密封所述基岛、所述第一MOS管和所述第二MOS管的塑封体,所述第一MOS管的栅极连接于所述第二MOS管的栅极,所述第一MOS管的漏极连接于所述第二MOS管的漏极。本申请具有节省空间、降低成本,且降低内阻的效果。

技术领域

本申请涉及汽车应急启动技术领域,尤其是涉及用于汽车启动的MOS结构、制作方法及汽车启动系统。

背景技术

汽车给人们出行带来很大的便利,但是汽车在某些特殊的情况下不能启动,为用户使用带来很大的麻烦,为此应急启动电源得到应用,而应急启动电源的开关管一般用大型继电器或MOS管。

目前在实际应用中,通常将各个MOS单独封装后接出引脚,然后两个封装后的MOS型开关背对背串联设置在PCB板上,但是这种生产制造出的产品体积大,内阻较大,且成本较高,对此有待进行改善。

发明内容

为了改善产品体积大、成本高的问题,本申请提供用于汽车启动的MOS结构、制作方法及汽车启动系统。

第一方面,本申请提供用于汽车启动的MOS结构,采用如下的技术方案:

用于汽车启动的MOS结构,包括基岛、设置于所述基岛上的第一MOS管和第二MOS管,以及密封所述基岛、所述第一MOS管和所述第二MOS管的塑封体,所述第一MOS管的栅极连接于所述第二MOS管的栅极,所述第一MOS管的漏极连接于所述第二MOS管的漏极。

通过采用上述技术方案,通过将两个MOS管封装在一起,其中两个栅极相连,两个漏极相连,无需单独将一个MOS管封装,使得封装出来的MOS能够直接应用在汽车启动系统上,不需要背靠背的焊接在一起,节省了空间和封装成本。

可选的,所述第一MOS管的栅极与所述第二MOS管的栅极、所述第一MOS管的漏极与所述第二MOS管的漏极均通过连接线相连接。。

通过采用上述技术方案,将基岛上的两个MOS管的栅极通过连接线相连,两个MOS管的漏极通过连接线相连,实现将两个单独的MOS管封装在一起。

可选的,所述第一MOS管包括第一P型衬底、第一N型沟槽、第二N型沟槽、第一氧化层、第一栅极金属层、第一漏极延伸层、第一源极金属层和第一绝缘层,所述第一P型衬底的一侧固定于所述基岛上,所述第一N型沟槽开设于所述第一P型衬底背离所述基岛的一侧以形成第一源区,所述第二N型沟槽开设于所述第一P型衬底背离所述基岛的一侧以形成第一漏区,所述第一氧化层覆盖所述第一P型衬底背离所述基岛的一侧,所述第一源极金属层与所述第一源区相连,所述第一漏极延伸层与所述第一漏区相连,所述第一绝缘层设置于所述第一源极金属层和所述第一漏极延伸层之间,所述第一栅极金属层设置于所述第一绝缘层上;

所述第二MOS管包括第二P型衬底、第三N型沟槽、第四N型沟槽、第二氧化层、第二栅极金属层、第二漏极延伸层、第二源极金属层和第二绝缘层,所述第二P型衬底的一侧固定于所述基岛上,所述第三N型沟槽开设于所述第二P型衬底背离所述基岛的一侧以形成第二源区,所述第四N型沟槽开设于所述第二P型衬底背离所述基岛的一侧以形成第二漏区,所述第二氧化层覆盖所述第二P型衬底背离所述基岛的一侧,所述第二源极金属层与所述第二源区相连,所述第二漏极延伸层与所述第二漏区相连,所述第二绝缘层设置于所述第二源极金属层和所述第二漏极延伸层之间,所述第二栅极金属层设置于所述第二绝缘层上;

所述第一漏极延伸层与所述第二漏极延伸层一体成型。

通过采用上述技术方案,在封装之前,将第一MOS管与第二MOS管加工为一体成型,第一漏极延伸层与第二漏极延伸层相连接,无需连接线也能够将两个漏极连接在一起,简化后续封装流程,实现两个MOS的封装,使得封装出来的MOS能够直接应用在汽车启动上。

可选的,所述第一栅极金属层与所述第二栅极金属层一体成型。

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