[发明专利]测试电路和测试方法

说明书

本发明提供一种测试电路，能够适当地评估开关元件。开关元件的测试电路包括：输入用于导通关断所述开关元件的驱动信号的第一端子；连接到所述开关元件的接地侧电极的第二端子；连接到所述开关元件的控制电极的第三端子；连接到所述开关元件的电源侧电极的第四端子；以及连接到所述第二端子和所述第四端子之间的钳位电路，当基于所述驱动信号导通所述开关元件时，所述钳位电路将所述第三端子的电压设为高于所述开关元件的阈值的第一电压，并且当基于所述驱动信号关断所述开关元件时，将所述第四端子的电压钳位为低于所述开关元件的耐压的第二电压，同时将所述第三端子的电压设定为在所述阈值和所述第一电压之间的第三电压。

技术领域

本发明涉及测试电路和测试方法。

背景技术

功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极晶体管)等开关元件中，为了筛选初期故障或缺陷产品，进行筛选测试(雪崩测试、开关测试、静耐压测试等)。

开关元件的产品分为雪崩保证品和雪崩非保证品两种。在对雪崩非保证品进行筛选测试时，希望保护元件。作为进行保护的电路，例如已知有用于切断电流的开关(例如，参照专利文献1)和钳位电路(例如，参照专利文献2至4)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2013－92534号公报

专利文献2：日本专利特开2013－251671号公报

专利文献3：日本专利特开2016－167693号公报

专利文献4：日本专利特开2012－32327号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

然而，即使如专利文献1所示切断电流，到切断为止也可能需要时间，存在不能完全消除开关元件损坏的问题。此外，专利文献2至4中的钳位电路无法对雪崩非保证品进行有效筛选，可能无法正确评估。

本发明是鉴于上述那样的现有问题而完成的，其目的在于，提供一种能够适当地评估开关元件的测试电路。

用于解决技术问题的技术手段

主要用于解决上述问题的本发明是在进行开关元件的测试时使用的测试电路，包括：输入用于导通关断所述开关元件的驱动信号的第一端子；连接到所述开关元件的接地侧电极的第二端子；连接到所述开关元件的控制电极的第三端子；连接到所述开关元件的电源侧电极的第四端子；以及连接到所述第二端子和所述第四端子之间的钳位电路，当基于所述驱动信号导通所述开关元件时，所述钳位电路将所述第三端子的电压设为高于所述开关元件的阈值的第一电压，并且当基于所述驱动信号而关断所述开关元件时，将所述第四端子的电压钳位为低于所述开关元件的耐压的第二电压，同时将所述第三端子的电压设为在所述阈值和所述第一电压之间的第三电压。

发明效果

根据本发明，能提供一种测试电路，能够适当地评估开关元件。

附图说明

图1是示出包含比较例的测试电路10的系统结构的图

图2A是示出开关元件3与探针20(探针20a、20b)之间的位置关系的俯视图，图2B是示出开关元件3与探针20和平台30之间的接触状态的侧视图。

图3是示出比较例的测试电路10的电路图。

图4是RBSOA的说明图。

图5是示出比较例中测试波形的一个示例的图。

图6A是示出合格品关断时的I-V特性的一个示例的图，图6B是示出不合格品关断时的I-V特性的一个示例的图。

图7A和图7B是示出开关元件3熔融时的一个示例的图。

图8是示出包含第一实施方式的测试电路1的系统结构的图