[发明专利]基于SLM的锆基非晶合金自膨胀主动脉覆膜支架的制备方法

权利要求书

1.基于SLM的锆基非晶合金自膨胀主动脉覆膜支架的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、锆钛铜铝合金母合金铸锭的制备；

所述步骤一的锆钛铜铝合金母合金铸锭是采用质量百分数高于99.9%的纯金属锆、钛、铜和铝块体，置于真空熔炼炉内通过真空自耗炼出锆钛铜铝母合金铸锭，其中锆原子、钛原子、铜原子、铝原子的质量百分比分别为61%、2%、25%、12%；

所述真空熔炼炉功率为60KW，熔炼电流为300A~350A，熔炼温度为2000℃~2500℃，熔炼过程中锆钛铜铝母合金铸锭在真空熔炼炉内的水冷铜坩埚上至少翻转熔炼6次；

步骤二、制备锆钛铜铝母合金粉体；

步骤三、通过SLM技术制备支架预制体；

所述步骤三具体是：首先建立3D打印支架模型，将锆钛铜铝母合金粉体按照3D打印支架模型并通过SLM 3D打印技术打印在基板上，打印的工艺参数设置具体为：激光功率175W，激光扫描速度1000mm/s～1600mm/s，激光扫描间距100μm～120μm，铺粉层厚度40μm；其中支架预制体的近端的直径D1为26mm～44mm，远端的直径D2为22mm～40mm，支架预制体长度L为150mm或200mm；

步骤四、将制备得到的支架预制体放入电解抛光液中进行电化学抛光去除残余应力和表面毛刺；

步骤五、将覆膜套在支架预制体的外部，缝合固定，制成锆基非晶合金自膨胀式抗核磁主动脉覆膜支架。

2.如权利要求1所述的基于SLM的锆基非晶合金自膨胀主动脉覆膜支架的制备方法，其特征在于，所述步骤二具体为：取锆钛铜铝合金母合金铸锭置于真空熔炼炉内，随后将惰性气体预热并向真空熔炼炉内的反应雾化室中通入惰性气体以排除雾化室的空气；启动高频脉冲电源使等离子炬放电，然后通入氮气产生氮气等离子体，氮气等离子体进入反应雾化室自喷嘴喷出后形成360°环状等离子体束，360°环状等离子体束在反应雾化室中形成雾化焦点，将锆钛铜铝合金母合金铸锭置于喷嘴下方，利用360°环状等离子体束进行超音速喷射雾化，锆钛铜铝合金母合金铸锭由金属液滴形成微米级的非晶态金属粉末，为锆钛铜铝母合金粉体。

3.如权利要求2所述的基于SLM的锆基非晶合金自膨胀主动脉覆膜支架的制备方法，所述喷嘴的出液口的口径为5.5mm，自出液口流出的锆钛铜铝合金金属液滴的流速为12kg/min～16kg/min。

4.如权利要求1所述的基于SLM的锆基非晶合金自膨胀主动脉覆膜支架的制备方法，所述步骤四的电解抛光液为高氯酸和冰乙酸的混合溶液，采用电解抛光装置进行电化学抛光，去除支架预制体的残余应力和表面毛刺。

5.如权利要求4所述的基于SLM的锆基非晶合金自膨胀主动脉覆膜支架的制备方法，其特征在于，所述电解抛光装置包括直流稳压电源、阴极、阳极、电解抛光液和恒温磁力搅拌器，所述直流稳压电源的负极与阴极相连接，正极与阳极相连接，阴极与阳极置于盛有电解抛光液的容器内，盛有电解抛光液的容器放置在恒温磁力搅拌器上；所述电解抛光装置的直流稳压电源的电压为15V，电流密度为0.2A/cm²～0.3A/cm²；恒温磁力搅拌器的温度为20℃～25℃；阴极和阳极间距为20mm～30mm，所述阴极为钛板，阳极为支架预制体。

6.如权利要求4所述的基于SLM的锆基非晶合金自膨胀主动脉覆膜支架的制备方法，其特征在于，所述高氯酸和冰乙酸的体积比为1:4。

7.如权利要求1所述的基于SLM的锆基非晶合金自膨胀主动脉覆膜支架的制备方法，其特征在于，所述步骤五的覆膜采用PET材料制成，覆膜厚度为0.02mm～0.04mm，将覆膜套在支架预制体的外部，覆膜的一端与支架预制体的端面平齐，覆膜的另一端较支架预制体短15mm～20mm，随后将覆膜与支架预制体缝合固定。