[发明专利]驱动装置、驱动方法及电力转换装置

权利要求书

1.一种驱动装置，隔着用于使串联连接的第一SiC-MOSFET和第二SiC-MOSFET关断的死区时间，使所述第一SiC-MOSFET和所述第二SiC-MOSFET交替地开关，所述驱动装置包括：

第一驱动电路，在所述死区时间，将所述第一SiC-MOSFET的栅极电压设定为高于第一负电源电压且低于所述第一SiC-MOSFET的第一阈值电压的第一中间电压；以及

第二驱动电路，在所述死区时间，将所述第二SiC-MOSFET的栅极电压设定为高于第二负电源电压且低于所述第二SiC-MOSFET的第二阈值电压的第二中间电压。

2.根据权利要求1所述的驱动装置，其中，

在所述死区时间是紧接在所述第一SiC-MOSFET的导通指令期间之后且紧接在所述第二SiC-MOSFET的导通指令期间之前的第一死区时间时，

所述第一驱动电路在所述第一死区时间开始时，将所述第一SiC-MOSFET的栅极电压从第一正电源电压变更为所述第一中间电压，并在所述第一死区时间结束时，将所述第一SiC-MOSFET的栅极电压从所述第一中间电压变更为所述第一负电源电压，

所述第二驱动电路在所述第一死区时间开始时，将所述第二SiC-MOSFET的栅极电压从所述第二负电源电压变更为所述第二中间电压，并在所述第一死区时间结束时，将所述第二SiC-MOSFET的栅极电压从所述第二中间电压变更为第二正电源电压。

3.根据权利要求2所述的驱动装置，其中，

在所述死区时间是紧接在所述第二SiC-MOSFET的导通指令期间之后且紧接在所述第一SiC-MOSFET的导通指令期间之前的第二死区时间时，

所述第一驱动电路在所述第二死区时间开始时，将所述第一SiC-MOSFET的栅极电压从所述第一负电源电压变更为所述第一中间电压，并在所述第二死区时间结束时，将所述第一SiC-MOSFET的栅极电压从所述第一中间电压变更为所述第一正电源电压，

所述第二驱动电路在所述第二死区时间开始时，将所述第二SiC-MOSFET的栅极电压从所述第二正电源电压变更为所述第二中间电压，并在所述第二死区时间结束时，将所述第二SiC-MOSFET的栅极电压从所述第二中间电压变更为所述第二负电源电压。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的驱动装置，其中，

所述第一中间电压和所述第二中间电压中的一方或双方为零。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的驱动装置，其中，

所述第一中间电压是高于零且低于所述第一阈值电压的正电压，

所述第二中间电压是高于零且低于所述第二阈值电压的正电压。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的驱动装置，其中，

所述第一中间电压是高于所述第一负电源电压且低于零的负电压，

所述第二中间电压是高于所述第二负电源电压且低于零的负电压。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的驱动装置，其中，

在超过所述死区时间的设定时间输入所述第一SiC-MOSFET和所述第二SiC-MOSFET中的双方的关断指令的情况下，所述第一驱动电路将所述第一SiC-MOSFET的栅极电压从所述第一中间电压变更为所述第一负电源电压，

在超过所述死区时间的设定时间输入所述第一SiC-MOSFET和所述第二SiC-MOSFET中的双方的关断指令的情况下，所述第二驱动电路将所述第二SiC-MOSFET的栅极电压从所述第二中间电压变更为所述第二负电源电压。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的驱动装置，其中，

在所述死区时间超过预定的等待时间的情况下，所述第一驱动电路将所述第一SiC-MOSFET的栅极电压从所述第一中间电压变更为所述第一负电源电压，

在所述死区时间超过预定的等待时间的情况下，所述第二驱动电路将所述第二SiC-MOSFET的栅极电压从所述第二中间电压变更为所述第二负电源电压。