[发明专利]驱动装置、驱动方法及电力转换装置在审

申请号：	202211177331.3	申请日：	2022-09-26
公开（公告）号：	CN116015029A	公开（公告）日：	2023-04-25
发明（设计）人：	田久保扩;木口龙雅	申请（专利权）人：	富士电机株式会社
主分类号：	H02M1/088	分类号：	H02M1/088;H02M7/5387;H02M7/5395
代理公司：	北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277	代理人：	刘新宇
地址：	日本神***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	驱动装置方法电力转换
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【说明书】：

提供一种驱动装置、驱动方法及电力转换装置，对SiC‑MOSFET的劣化进行抑制。该驱动装置隔着用于使串联连接的第一SiC‑MOSFET和第二SiC‑MOSFET关断的死区时间，使所述第一SiC‑MOSFET和所述第二SiC‑MOSFET交替地开关，所述驱动装置包括：第一驱动电路，在所述死区时间，将所述第一SiC‑MOSFET的栅极电压设定为高于第一负电源电压且低于所述第一SiC‑MOSFET的第一阈值电压的第一中间电压；以及第二驱动电路，在所述死区时间，将所述第二SiC‑MOSFET的栅极电压设定为高于第二负电源电压且低于所述第二SiC‑MOSFET的第二阈值电压的第二中间电压。

技术领域

本公开涉及一种驱动装置、驱动方法及电力转换装置。

背景技术

传统上，存在将串联连接的两个开关元件与直流电源并联连接的电力转换电路。如下述的专利文献1所示，已知该类电力转换电路在死区期间将两个开关元件的栅极电压均向负方向偏置，以使开关元件不会同时导通。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-51049号公报

发明内容

本发明要解决的问题

SiC-MOSFET存在如果电流流向体二极管则特性会劣化的问题。如果将专利文献1的驱动方法应用于SiC-MOSFET的驱动，则电流会在死区时间流向SiC-MOSFET的体二极管，有可能会使SiC-MOSFET的劣化恶化。

本公开提供一种驱动装置及驱动方法、以及包括该驱动装置的电力转换装置，其用于对SiC-MOSFET的劣化进行抑制。

用于解决问题的手段

在本公开的一个方面，提供一种驱动装置，隔着用于使串联连接的第一SiC-MOSFET和第二SiC-MOSFET关断的死区时间，使所述第一SiC-MOSFET和所述第二SiC-MOSFET交替地开关，所述驱动装置包括：第一驱动电路，在所述死区时间，将所述第一SiC-MOSFET的栅极电压设定为高于第一负电源电压且低于所述第一SiC-MOSFET的第一阈值电压的第一中间电压；以及第二驱动电路，在所述死区时间，将所述第二SiC-MOSFET的栅极电压设定为高于第二负电源电压且低于所述第二SiC-MOSFET的第二阈值电压的第二中间电压。

另外，提供一种电力转换装置，包括该驱动装置。

发明的效果

根据本公开，能够对SiC-MOSFET的劣化进行抑制。

附图说明

图1是示出一个实施方式的电力转换装置的构成示例的图。

图2是示出基于根据一个比较例的驱动方法的动作的时序图。

图3是示出SiC-MOSFET的体二极管的特性的一个示例的图。

图4是示出基于本公开的第一驱动方法的动作的时序图。

图5是示出一个实施方式的电力转换装置所具备的驱动装置的第一构成示例的图。

图6是示出由具有图5的构成的驱动装置所进行的动作的时序图。

图7是示出一个实施方式的电力转换装置所具备的驱动装置的第二构成示例的图。

图8是示出变成运转停止的情况下的动作波形的一个示例的时序图。