[发明专利]显示装置在审
| 申请号： | 202211183670.2 | 申请日： | 2022-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN116156951A | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 金根佑 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H10K59/121 | 分类号： | H10K59/121;H10K59/12;G09G3/3233 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 宋颖娉;康泉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示装置 | ||
1.一种显示装置，包括：
基板；
缓冲层，在所述基板上；
驱动晶体管，在所述缓冲层上并且包括第一半导体图案、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极；以及
开关晶体管，在所述缓冲层上并且与所述驱动晶体管间隔开，所述开关晶体管包括第二半导体图案、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极，
其中，所述缓冲层包括包含氮化硅的第一缓冲层和包含氧化硅的第二缓冲层，
仅所述第二缓冲层在所述驱动晶体管的所述第一半导体图案之下，并且
所述第一缓冲层和所述第二缓冲层在所述开关晶体管的所述第二半导体图案之下。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一半导体图案和所述第二半导体图案包括多晶硅。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在所述第二半导体图案中包括的氢离子浓度大于在所述第一半导体图案中包括的氢离子浓度。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的显示装置，其中，在所述第一半导体图案之下的所述第二缓冲层的第一厚度等于在所述第二半导体图案之下的所述第二缓冲层的第二厚度。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，在所述第二半导体图案之下的所述第一缓冲层的第三厚度小于所述第二厚度。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的显示装置，其中，在所述第一半导体图案之下的所述第二缓冲层的第一厚度等于在所述第二半导体图案之下的所述第二缓冲层的第二厚度与在所述第二半导体图案之下的所述第一缓冲层的第三厚度之和。
7.一种显示装置，包括：
基板；
缓冲层，在所述基板上；
驱动晶体管，在所述缓冲层上并且包括第一半导体图案、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极；以及
开关晶体管，在所述缓冲层上并且与所述驱动晶体管间隔开，所述开关晶体管包括第二半导体图案、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极，
其中，所述缓冲层包括包含氮化硅的第一缓冲层和包含氧化硅的第二缓冲层，
所述第一缓冲层和所述第二缓冲层在所述驱动晶体管的所述第一半导体图案之下，
所述第一缓冲层和所述第二缓冲层在所述开关晶体管的所述第二半导体图案之下，并且
在所述第一半导体图案之下的所述第二缓冲层的第一厚度大于在所述第二半导体图案之下的所述第二缓冲层的第二厚度。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一半导体图案和所述第二半导体图案包括多晶硅。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，在所述第二半导体图案中包括的氢离子浓度大于在所述第一半导体图案中包括的氢离子浓度。
10.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一缓冲层的第三厚度小于所述第一厚度和所述第二厚度。
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