[发明专利]显示装置

说明书

本发明提供了显示装置。该显示装置包括：基板；缓冲层，在基板上；驱动晶体管，在缓冲层上并且包括第一半导体图案、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极；以及开关晶体管，在缓冲层上并且与驱动晶体管间隔开，开关晶体管包括第二半导体图案、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极，其中，缓冲层包括包含氮化硅的第一缓冲层和包含氧化硅的第二缓冲层，仅第二缓冲层在驱动晶体管的第一半导体图案之下，并且第一缓冲层和第二缓冲层在开关晶体管的第二半导体图案之下。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年11月18日提交的韩国专利申请第10-2021-0159513号的优先权和权益，其全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明的一些实施例的方面涉及显示装置。

背景技术

随着信息技术的发展，作为用户与信息之间的连接媒介的显示装置的重要性已经凸显。

显示装置包括多个像素。像素中的每一个通常包括电容器、多个晶体管以及电连接到晶体管的发光元件。晶体管响应于通过线路提供的信号而分别被导通，并且相应地可以产生驱动电流。发光元件响应于驱动电流而发光。

近来，为了改善显示装置的驱动效率并降低显示装置的功耗，可以使用以相对低的频率来驱动显示装置的方法。因此，可能需要能够响应于显示装置以相对低的频率驱动而改善显示质量的方法。

在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对背景技术的理解，并且因此，在该背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。

发明内容

本发明的一些实施例的方面包括能够在显示装置以低频率驱动时减小开关晶体管的泄漏电流(或截止电流)，并且增大被施加到驱动晶体管的栅电极的栅电压的驱动范围(在下文中，DR范围)的显示装置。

根据一些实施例，显示装置包括：基板；缓冲层，在基板上；驱动晶体管，在缓冲层上并且包括第一半导体图案、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极；以及开关晶体管，在缓冲层上并且与驱动晶体管间隔开，开关晶体管包括第二半导体图案、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极。

根据一些实施例，缓冲层可以包括包含氮化硅的第一缓冲层和包含氧化硅的第二缓冲层，仅第二缓冲层可以在驱动晶体管的第一半导体图案之下，并且第一缓冲层和第二缓冲层可以在开关晶体管的第二半导体图案之下。

根据一些实施例，第一半导体图案和第二半导体图案可以包括多晶硅。

根据一些实施例，在第二半导体图案中包括的氢离子浓度可以大于在第一半导体图案中包括的氢离子浓度。

根据一些实施例，在第一半导体图案之下的第二缓冲层的第一厚度可以基本上等于在第二半导体图案之下的第二缓冲层的第二厚度。

根据一些实施例，在第二半导体图案之下的第一缓冲层的第三厚度可以小于第二厚度。

根据一些实施例，在第一半导体图案之下的第二缓冲层的第一厚度可以等于在第二半导体图案之下的第二缓冲层的第二厚度与在第二半导体图案之下的第一缓冲层的第三厚度之和。

根据一些实施例，显示装置可以进一步包括：包含氧化硅的阻挡层，在基板与缓冲层之间。

根据一些实施例，第一缓冲层可以在阻挡层上，并且第二缓冲层可以在第一缓冲层上。