[发明专利]一种顶离装置和方法在审
申请号: | 202211186256.7 | 申请日: | 2022-09-28 |
公开(公告)号: | CN115295475A | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | 查睿浩;丁永旺;陈涛;杨鹏 | 申请(专利权)人: | 江苏卓胜微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 赵迎迎 |
地址: | 214072 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 装置 方法 | ||
本发明公开了一种顶离装置和方法,顶离装置包括:载具、胶带、吸嘴结构和加热模块;所述胶带位于所述载具的一侧,所述胶带用于粘接产品;所述加热模块位于所述载具远离所述胶带的一侧,所述加热模块用于加热所述胶带;所述吸嘴结构用于吸取所述产品。本发明提供了一种顶离装置和方法,可以避免胶水残留产品背面,也可以提高吸嘴结构吸取产品的成功率。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种顶离装置和方法。
背景技术
现有工业量产磁控溅射机台都为条带式线形一体机,其中包括除湿、等离子清洗、磁控溅射、高真空缓冲腔等模块。现有的磁控溅射作业方式为:将切割好的产品放置在贴有胶带的载具上,经条线一体机的磁控溅射作业方式,再经顶离装置顶离作业,取下单颗产品。
但现有的顶离装置无法解决以下问题:
1、在顶离作业过程中,因胶带经高温磁控溅射腔体,会产生胶水附着产品背面,影响产品后续上板造成性能不良的问题;
2、在顶离作业过程中,因胶带经高温磁控溅射腔体,胶带中的胶水分子与产品背面结合力增大,表现为产品背面与胶带紧密连接,出现吸嘴结构吸取产品时失效,产品还粘在胶带上的异常情况。
发明内容
本发明提供了一种顶离装置和方法,可以避免胶水残留产品背面,也可以提高吸嘴结构吸取产品的成功率。
根据本发明的一方面,提供了一种顶离装置,该顶离装置包括:载具、胶带、吸嘴结构和加热模块;
所述胶带位于所述载具的一侧,所述胶带用于粘接产品;
所述加热模块位于所述载具远离所述胶带的一侧,所述加热模块用于加热所述胶带;
所述吸嘴结构用于吸取所述产品。
可选的,所述加热模块包括至少一个远红外光源。
可选的,本实施例提供的顶离装置还包括柱塞;
所述柱塞包括顶针结构;
所述载具包括第一通孔;
在所述产品顶离时,所述柱塞位于所述第一通孔内,所述顶针结构用于向所述胶带施加压力,其中,所述压力指向所述产品。
可选的,所述顶针结构包括多个顶针;
所述多个顶针呈阵列排布。
可选的,每一所述顶针包括针头和与所述针头相连的针柱;
在所述产品顶离时,所述针柱位于所述针头远离所述胶带的一侧;
所述针头的材料包括橡胶。
可选的,所述针柱的材料包括金属。
可选的,所述吸嘴结构包括吸嘴和与所述吸嘴连接的槽柱;
所述槽柱位于所述吸嘴靠近所述胶带一侧;
所述槽柱的内侧面与所述吸嘴靠近所述胶带的表面的夹角大于或等于90°;
在所述吸嘴结构吸取所述产品时,所述槽柱用于卡住所述产品,所述吸嘴用于吸取所述产品。
可选的,本实施例提供的顶离装置还包括旋转模块;
所述旋转模块用于在所述吸嘴结构吸取所述产品时旋转所述吸嘴结构。
可选的,本实施例提供的顶离装置还包括抽气模块;
所述柱塞包括多个第二通孔;
所述多个第二通孔围绕所述顶针结构;
所述抽气模块用于通过所述多个第二通孔抽取所述柱塞与所述胶带之间的气体。
根据本发明的另一方面,提供了一种顶离方法,顶离方法应用于本发明任意实施例提供的顶离装置;
所述顶离方法包括如下步骤:
所述加热模块加热所述胶带;
所述吸嘴结构吸取所述产品。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏卓胜微电子股份有限公司,未经江苏卓胜微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211186256.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种充电眼镜盒组件
- 下一篇:一种便于固定的防脱落电芯结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造