[发明专利]一种RCZ法拉制单晶硅的方法在审
| 申请号： | 202211190322.8 | 申请日： | 2022-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN115506018A | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 王建立;颜超;路鹏 | 申请（专利权）人： | 晶澳（邢台）太阳能有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/02;C30B15/20 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人： | 徐颖聪 |
| 地址： | 054004 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 rcz 法拉 制单 方法 | ||
1.一种RCZ法拉制单晶硅的方法，其特征在于，从第一棒拉制至第n棒，包括以下步骤：
S1、在拉制第一棒至第n-3棒时，控制每棒的单晶硅棒具有相同的第一直径和第一长度，在每次拉制完成之后，向坩埚内复投第一投料量的硅料，并向所述坩埚内添加等量的合金；
S2、在拉制第n-2棒时，控制所述第n-2棒的单晶硅棒具有所述第一直径和所述第一长度，在拉制完成后，向坩埚内复投所述第一投料量的硅料，并停止添加合金；
S3、拉制第n-1棒时，控制所述第n-1棒的单晶硅棒具有所述第一直径和第二长度，在拉制完成后，向坩埚内复投第二投料量的硅料，并继续停止添加合金；
S4、在拉制第n棒时，控制所述第n棒的单晶硅棒具有大于所述第一直径的第二直径和第三长度，拉制直至所述坩埚内剩余硅料量小于或等于预定量，完成制备。
2.根据权利要求1所述的RCZ法拉制单晶硅的方法，其特征在于，
控制拉制第一棒至第n棒时向单晶炉内通入的氩气流量彼此相同。
3.根据权利要求2所述的RCZ法拉制单晶硅的方法，其特征在于，
控制拉制第n棒时单晶炉的等径功率小于拉制第一棒至第n-1棒时单晶炉的等径功率。
4.根据权利要求3所述的RCZ法拉制单晶硅的方法，其特征在于，
所述第二长度大于所述第一长度。
5.根据权利要求4所述的RCZ法拉制单晶硅的方法，其特征在于，
所述第一棒至第n-1棒的单晶硅棒具有相同的合金浓度，并且大于所述第n棒的单晶硅棒的合金浓度。
6.根据权利要求5所述的RCZ法拉制单晶硅的方法，其特征在于，
所述第一棒至第n-1棒的单晶硅棒具有相同的电阻率，并且小于所述第n棒的单晶硅棒的电阻率。
7.根据权利要求6所述的RCZ法拉制单晶硅的方法，其特征在于，
所述第二投料量大于所述第一投料量。
8.根据权利要求7所述的RCZ法拉制单晶硅的方法，其特征在于，
所述第一直径为227mm，所述第二直径为252mm。
9.根据权利要求8所述的RCZ法拉制单晶硅的方法，其特征在于，
所述第一棒至第n-1棒的单晶硅棒的电阻率为0.8～0.9Ω·m，所述第n棒的单晶硅棒的电阻率为1.0～1.3Ω·m。
10.根据权利要求9所述的RCZ法拉制单晶硅的方法，其特征在于，所述n等于八。
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