[发明专利]一种RCZ法拉制单晶硅的方法

说明书

本发明提供一种RCZ法拉制单晶硅的方法，包括：S1、在拉制第一棒至第n‑3棒时，控制每棒具有相同的第一直径和第一长度，向坩埚内复投第一投料量的硅料，并向坩埚内添加等量的合金；S2、在拉制第n‑2棒时，控制所述第n‑2棒具有第一直径和第一长度，向坩埚内复投第一投料量的硅料，并停止添加合金；S3、拉制第n‑1棒时，控制第n‑1棒具有所述第一直径和第二长度，向坩埚内复投第二投料量的硅料，并继续停止添加合金；S4、在拉制第n棒时，控制第n棒具有大于所述第一直径的第二直径和第三长度，拉制直至所述坩埚内剩余硅料量小于或等于预定量，完成制备。本申请可以提高硅料利用率、提高单晶硅棒性能、提高生产效率。

技术领域

本发明涉及光伏材料生产技术领域，具体涉及一种RCZ法拉制单晶硅的方法。

背景技术

目前利用RCZ法拉制单晶硅的过程中，从拉制第一棒至最后一棒，单晶硅棒拉制直径保持相同。但由于向坩埚内加入的合金的分凝效应影响，合金逐渐分凝到坩埚底部，导致越靠近拉制末尾，坩锅底部合金沉积越多的合金，导致尾棒中合金浓度增加，使得尾棒的电阻率增加，甚至大于该单晶硅棒的直径对应的需求的电阻率，影响尾棒的产能；同时，在尾棒拉制时，为了提高硅料利用率，需要保证埚底料尽可能的少，即在拉制尾棒时，需要增加尾棒拉制长度，从而增加了尾棒的取出难度，如果控制尾棒的长度，则坩埚底料剩余过多，降低硅料的利用率。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种RCZ法拉制单晶硅的方法，以解决以上技术问题。

为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

根据本发明实施例的RCZ法拉制单晶硅的方法，从第一棒拉制至第n棒，包括：

S1、在拉制第一棒至第n-3棒时，控制每棒的单晶硅棒具有相同的第一直径和第一长度，在每次拉制完成之后，向坩埚内复投第一投料量的硅料，并向所述坩埚内添加等量的合金；

S2、在拉制第n-2棒时，控制所述第n-2棒的单晶硅棒具有所述第一直径和所述第一长度，在拉制完成后，向坩埚内复投所述第一投料量的硅料，并停止添加合金；

S3、拉制第n-1棒时，控制所述第n-1棒的单晶硅棒具有所述第一直径和第二长度，在拉制完成后，向坩埚内复投第二投料量的硅料，并继续停止添加合金；

S4、在拉制第n棒时，控制所述第n棒的单晶硅棒具有大于所述第一直径的第二直径和第三长度，拉制直至所述坩埚内剩余硅料量小于或等于预定量，完成制备。

在本申请的一个实施例中，控制拉制第一棒至第n棒时向单晶炉内通入的氩气流量彼此相同。

在本申请的一个实施例中，控制拉制第n棒时单晶炉的等径功率小于拉制第一棒至第n-1棒时单晶炉的等径功率。

在本申请的一个实施例中，所述第二长度大于所述第一长度。

在本申请的一个实施例中，所述第一棒至第n-1棒的单晶硅棒具有相同的合金浓度，并且大于所述第n棒的单晶硅棒的合金浓度。

在本申请的一个实施例中，所述第一棒至第n-1棒的单晶硅棒具有相同的电阻率，并且小于所述第n棒的单晶硅棒的电阻率。

在本申请的一个实施例中，所述第二投料量大于所述第一投料量。

在本申请的一个实施例中，所述第一直径为227mm，所述第二直径为252mm，所述第一棒至第n-1棒的单晶硅棒的电阻率为0.8～0.9Ω·m，所述第n棒的单晶硅棒的电阻率为1.0～1.3Ω·m。

在本申请的一个实施例中，所述n等于八。

本发明的上述技术方案至少具有如下有益效果之一：