[发明专利]热发泡膜去除装置

说明书

本发明涉及一种热发泡膜去除装置，用于处理半导体器件，半导体器件包括粘接在一起的硅片及热发泡膜，包括：夹具，在设定高度处悬置有夹持组件，夹持组件形成有用于架设硅片的容置腔，容置腔具有朝下且容置热发泡膜的开口；加热单元，设于容置腔下方，用于加热解粘硅片和热发泡膜；加热单元的热量对热发泡膜进行加热，在积累一定的热量后硅片和热发泡膜之间解粘，热发泡膜与硅片之间的粘结作用消失，在重力的作用下，热发泡膜脱离硅片并从容置腔的开口中掉落，实现热发泡膜从硅片上的自动化剥离，由于去除了人工作业，能够避免硅片或是半导体器件其他部分的损伤，确保了产品良率；同时自动化剥离的效率较高、便于实现批量化操作，降低生产成本。

技术领域

本发明涉及半导体设备技术领域，特别是涉及一种热发泡膜去除装置。

背景技术

在半导体技术领域，由于硅片的精密度较高并且半导体器件的制备工序较多，利用半导体工艺制备半导体器件的过程中需要在硅片上设置一层保护层，而这一保护层一般通过半导体工艺中的发泡工序获得。

目前，在发泡工序中采用发泡材质形成一层发泡膜，这一发泡膜在其他工序中保护硅片，并且在半导体器件完成制备后从硅片上去除，现有发泡膜的去除主要通过人工手动分离，但是一方面这种去除方式在人工作业的过程中会导致硅片的损伤或是半导体器件其他部分增加缺陷，另一方面这种去除方式的效率较低、人工成本较高、难以实现批量化，导致生产成本较高。

发明内容

基于此，有必要针对现有热发泡膜去除时易损伤半导体器件以及成本较高的问题，提供一种热发泡膜去除装置。

本发明提供了一种热发泡膜去除装置，用于处理半导体器件，所述半导体器件包括粘接在一起的硅片及热发泡膜，包括：

夹具，在设定高度处悬置有夹持组件，所述夹持组件形成有用于架设所述硅片的容置腔，所述容置腔具有朝下且容置所述热发泡膜的开口；

加热单元，设于所述容置腔下方，用于加热解粘所述硅片和所述热发泡膜。

在上述热发泡膜去除装置使用时，半导体器件位于夹持组件的容置腔内，此时半导体器件的硅片架设在容置腔靠近开口的底壁上，半导体的热发泡膜相对硅片靠近容置腔的开口，并且热发泡膜容置在开口中，加热单元工作产生的热量对热发泡膜进行加热，在积累一定的热量后硅片和热发泡膜之间解粘，热发泡膜与硅片之间的粘结作用消失，在重力的作用下，热发泡膜脱离硅片并从容置腔的开口中掉落，实现热发泡膜从硅片上的自动化剥离，由于去除了人工作业，能够避免硅片或是半导体器件其他部分的损伤，确保了产品良率；同时自动化剥离的效率较高、便于实现批量化操作，降低生产成本。

在其中一个实施例中，所述加热单元包括加热腔及加热器，所述加热腔位于所述容置腔下方，且靠近所述容置腔的一侧开口，所述加热器安装于所述加热腔的侧壁，且向着所述容置腔辐射热量。

在上述热发泡膜去除装置中，通过限定加热单元的具体结构以及连接关系，以便于热量传递至热发泡膜处，提高能源的利用率。

在其中一个实施例中，所述加热腔的内壁具有反射镜面。

在上述热发泡膜去除装置中，通过限定加热腔内壁的表面形式，以便于热量向着热发泡膜处集中，提高剥离效率。

在其中一个实施例中，所述加热单元还包括多边形金属反射板，所述多边形金属反射板固定于所述加热腔的内壁上。

在上述热发泡膜去除装置中，通过在加热腔的内壁上设置多边形金属反射板，以便于在加热腔的内壁上形成反射镜面。

在其中一个实施例中，所述加热腔具有第一侧壁，所述第一侧壁斜向上延伸，所述加热器安装于所述第一侧壁。

在上述热发泡膜去除装置中，通过限定加热器所在侧壁的结构形式，以便于热量向着容置腔辐射。