[发明专利]一种升压电路、升压电路的工作方法以及嵌入式闪存

权利要求书

1.一种升压电路，其特征在于，所述升压电路包括：多个串联连接的层级，每个层级包括一个PMOS二极管和一个P型金氧半导体电容，每个层级内PMOS二极管和P型金氧半导体电容串联连接，连接处定义为节点，任一层级用于将作为基极的N型井的不同接出点连接至不同的电位，所述PMOS二极管的基极与漏极连接，且所述PMOS二极管的基极和源极之间有一个二极管接口，所述P型金氧半导体电容用于控制每个层级中节点的电位。

2.根据权利要求1所述的一种升压电路，其特征在于，所述升压电路中包括N个层级，N为自然数且N≥5，其中，第一层级的P型金氧半导体电容与示波器的一个方形脉冲连接，第二层级的P型金氧半导体电容与示波器的一个反向方形脉冲连接，第三层级至第N-1层的P型金氧半导体电容与节点侦测电压连接，第N层级的P型金氧半导体电容接地。

3.根据权利要求2所述的一种升压电路，其特征在于，所述第三层级的节点通过一个PMOS与输出端P型金氧半导体电容连接。

4.根据权利要求1所述的一种升压电路，其特征在于，所述P型金氧半导体电容以栅极与N型井之间的氧化层作为介电质。

5.根据权利要求1所述的一种升压电路，其特征在于，每个节点的电位控制在设定的输入电压范围内。

6.根据权利要求1所述的一种升压电路，其特征在于，所述升压电路用于单井CMOS制程以及三井CMOS制程。

7.根据权利要求1所示的一种升压电路，其特征在于，所述升压电路为互补式升压电路，所述互补式升压电路中还包括另外一套多个串联连接的层级，两套多个串联连接的层级的输入振荡器相位对调，两套多个串联连接的层级的输入端电压连接，且两套多个串联连接的层级的输出端连接。

8.一种升压电路的工作方法，其特征在于，所述工作方法应用于一种升压电路，所述升压电路包括：N个串联连接的层级，每个层级包括一个PMOS二极管和一个P型金氧半导体电容，每个层级内PMOS二极管和P型金氧半导体电容串联连接，连接处定义为节点，任一层级用于将作为基极的N型井的不同接出点连接至不同的电位，所述PMOS二极管的基极与漏极连接，且所述PMOS二极管的基极和源极之间有一个二极管接口，所述P型金氧半导体电容用于控制每个层级中节点的电位，N为自然数且N≥5，其中，第一层级的P型金氧半导体电容与示波器的一个方形脉冲连接，第二层级的P型金氧半导体电容与示波器的一个反向方形脉冲连接，第三层级至第N-1层的P型金氧半导体电容与节点侦测电压连接，第N层级的P型金氧半导体电容接地，所述工作方法包括：

S1：获取初始输入电压Vin；

S2：根据所获取的PMOS二极管导通信号，第一层级节点电位充电至Vin-Vt，其中Vt为PMOS二极管的导通电压；

S3：根据所获取的触发信号，从第一层级开始，每个层级的PMOS二极管与P型金氧半导体电容耦合，产生振荡信号，并利用上一层级振荡信号的振荡频率对下一层级进行升压，直到到达设定的输出电压Vout，其中，升压过程中每个节点的电位控制在设定的输入电压范围内。