[发明专利]一种升压电路、升压电路的工作方法以及嵌入式闪存

说明书

本申请公开了一种升压电路、升压电路的工作方法以及嵌入式闪存，该升压电路包括：多个串联连接的层级，每个层级包括串联连接的一个PMOS二极管和一个P型金氧半导体电容，连接处定义为节点，任一层级用于将作为基极的N型井的不同接出点连接至不同的电位。该升压电路的工作方法包括：获取初始输入电压Vin；根据所获取的PMOS二极管导通信号，第一层级节点电位充电至Vin‑Vt，其中Vt为PMOS二极管的导通电压；S3：根据所获取的触发信号，从第一层级开始，每个层级的PMOS二极管与P型金氧半导体电容耦合，产生振荡信号，并利用上一层级振荡信号的振荡频率对下一层级进行升压，直到到达设定的输出电压Vout。该嵌入式内存中包括该升压电路。

技术领域

本申请涉及电子产品升压技术领域，特别是涉及一种升压电路、升压电路的工作方法以及嵌入式闪存。

背景技术

随着电子技术的发展，携带性个人电子产品、如：手机、PAD(平板电脑)等产品的使用越来越多。这类电子产品要求具有即使关机、数据也不会流失的特性，因此，嵌入式闪存的使用率大幅提升。而嵌入式闪存中如何设计升压电路，确保电路升压稳定升压，是个重要的技术问题。

目前的升压电路，主要是采用NMOS(Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor，N型金属氧化物半导体)为传导晶体的狄克森升压线路。该升压电路的结构如图1所示，该升压电路中所采用的波形振荡器产生的波形如图2所示。由图1可以看出，整个升压电路的主体为N型金氧半导体以及电容。电容的一端与N型金氧半导体的汲极相接，另一端与振荡波形产生器(oscillator)相接，藉由电容将电压耦合至N型金氧半导体的汲极，再藉由N型金氧半导体将电压传导致下一个N型金氧半导体的汲极。此外，由于升压电路中的金氧半导体与电容都是重复性的，所以为了方便起见，将一个金氧半导体与电容的组合(例如M1与C1)称为一个层级(stage)。图2为振荡波形产生器所产生的波形，可以发现到两个波形互为反向。所采用的振荡波形产生器是利用奇数个反向器(inverter)串接而成的循环，如此一来将会使反向器不停的变动输出电压，而完成振荡的动作。

然而，目前的升压电路中，如果想使漏极电压完全传导至源极，则栅极电压必定大于漏极电压一个临界电压以上，当金氧半导体在源极电压不为零时，会有崩溃现象发生，而导致金氧半导体本身的临界电压变大，然后又必须使用更高的栅极电压，才能使金氧半导体进入线性区。因此，目前的升压电路由产生电路崩溃现象的风险，从而导致升压电路的稳定性较差。

发明内容

本申请提供了一种升压电路、升压电路的工作方法以及嵌入式闪存，以解决现有技术中的升压电路存在电路崩溃的风险，使得升压电路的稳定性较差的问题。

为了解决上述技术问题，本申请实施例公开了如下技术方案：

一种升压电路，其特征在于，所述升压电路包括：多个串联连接的层级，每个层级包括一个PMOS(positive channel Metal Oxide Semiconductor，n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管)二极管和一个P型金氧半导体电容，每个层级内PMOS二极管和P型金氧半导体电容串联连接，连接处定义为节点，任一层级用于将作为基极的N型井的不同接出点连接至不同的电位，所述PMOS二极管的基极与漏极连接，且所述PMOS二极管的基极和源极之间有一个二极管接口，所述P型金氧半导体电容用于控制每个层级中节点的电位。

可选地，所述升压电路中包括N个层级，N为自然数且N≥5，其中，第一层级的P型金氧半导体电容与示波器的一个方形脉冲连接，第二层级的P型金氧半导体电容与示波器的一个反向方形脉冲连接，第三层级至第N-1层的P型金氧半导体电容与节点侦测电压连接，第N层级的P型金氧半导体电容接地。

可选地，所述第三层级的节点通过一个PMOS与输出端P型金氧半导体电容连接。

可选地，所述P型金氧半导体电容以栅极与N型井之间的氧化层作为介电质。