[发明专利]一种掩膜版、曝光设备和曝光方法在审
申请号: | 202211203997.1 | 申请日: | 2022-09-29 |
公开(公告)号: | CN115542658A | 公开(公告)日: | 2022-12-30 |
发明(设计)人: | 杨堂;叶超;魏小丹;何宝生;刘沛;邓祖文 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 王存霞 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掩膜版 曝光 设备 方法 | ||
本申请实施例提供了一种掩膜版、曝光设备和曝光方法。该掩膜版包括:有多个子掩膜图形组的第一掩膜子版和有多个透光区的第二掩膜子版。第二掩膜子版设置在第一掩膜子版的一侧,且能够相对第一掩膜子版移动。移动对位结构与第二掩膜子版连接,用于根据接收到的对位信号,控制第二掩膜子版移动,以使得在不同的曝光过程中透光区分别对应不同的子掩膜图形组。本申请实施例可以将多种掩膜版图形集成在一张掩膜版中,减少掩膜版使用数量,降低生产成本,同时减少生产时掩膜版的移动风险及其造成的产品工艺不良。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体而言,本申请涉及一种掩膜版、曝光设备和曝光方法。
背景技术
掩膜版(Mask)是微纳加工技术常用的光刻工艺所使用的图形母版,由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜图形结构,再通过曝光过程将图形信息转移到产品基片上。待加工的掩膜版由基板、铬层和光刻胶层构成,其图形结构可通过制版工艺加工获得。
掩膜版应用十分广泛,在涉及光刻工艺的领域都需要使用掩膜版,如IC(Integrated Circuit,集成电路)、FPD(Flat Panel Display,平板显示器)、PCB(PrintedCircuit Boards,印刷电路板)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems,微机电系统)等。
以显示屏行业为例,一块显示屏在制作过程中,涉及多道掩膜版曝光工艺。目前绝大多数显示屏企业均采用一层曝光图形对应一张掩膜版进行曝光工艺,增加了生产时掩膜版的移动风险及由于掩膜版移动所产生的工艺不良;另外,采用较多的掩膜版,也会使得生产成本较高。
发明内容
本申请针对现有方式的缺点,提出一种掩膜版、曝光设备和曝光方法,用以解决现有技术存在掩膜版使用数量多、生产成本高,掩膜版移动次数多、产品质量可靠性低的技术问题。
为了解决上述问题,本申请实施例主要提供如下技术方案:
第一个方面,本申请实施例提供了一种掩膜版,该掩膜版包括:
第一掩膜子版,包括多个子掩膜图形,以及位于相邻子掩膜图形之间的遮光区。多个子掩膜图形中,包括多组子掩膜图形组,同一子掩膜图形组包括同种曝光图案,不同子掩膜图形组包括不同种曝光图案。
第二掩膜子版,设置在第一掩膜子版的一侧,包括多个透光区,以及位于相邻透光区之间的非透光区。
移动对位结构,位于第二掩膜子版远离第一掩膜子版的一侧,并与第二掩膜子版连接。且移动对位结构在第二掩膜子版上的正投影位于非透光区,用于根据接收到的对位信号,控制第二掩膜子版相对第一掩膜子版移动,以使得在不同的曝光过程中透光区分别对应不同的子掩膜图形组。
可选地,任一子掩膜图形组与透光区对应时,该子掩膜图形组在第二掩膜子版上的正投影面积小于透光区的面积,且与透光区不对应的子掩膜图形组在第二掩膜子版上的正投影位于非透光区内。
可选地,第一掩膜子版包括多个第一对位标记,第一对位标记位于遮光区,每一组子掩膜图形组均对应一第一对位标记,第一对位标记位于子掩膜图形组的周边。第二掩膜子版包括多个第二对位标记,第二对位标记位于非透光区,且位于透光区的周边。
可选地,每一组子掩膜图形组中,每一子掩膜图形的周边均设置有第一对位标记。
可选地,第一对位标记和第二对位标记的形状相同,和/或,第一对位标记和第二对位标记的尺寸相等。
可选地,当任一子掩膜图形组与透光区对应时,第一对位标记在第二掩膜子版上的正投影与第二对位标记交叠。
可选地,移动对位结构包括导轨装置和驱动装置。其中导轨装置位于第二掩膜子版远离第一掩膜子版的一侧,并与第二掩膜子版连接;驱动装置,与导轨装置连接,用于根据接收到的对位信号,驱动第二掩膜子版在导轨装置上移动。
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