[发明专利]数据读写方法、数据读取方法、三维存储器以及电子设备在审
申请号: | 202211204382.0 | 申请日: | 2022-09-29 |
公开(公告)号: | CN115512741A | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 周小锋 | 申请(专利权)人: | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
主分类号: | G11C11/409 | 分类号: | G11C11/409 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 李秀云 |
地址: | 710075 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数据 读写 方法 读取 三维 存储器 以及 电子设备 | ||
1.一种数据读写方法,其特征在于,所述方法包括:
逻辑芯片确定第一写入数据;
逻辑芯片根据样本数据对所述第一写入数据进行压缩,得到冗余码;所述第一写入数据与所述样本数据的比特差在预设范围内;
将所述冗余码与所述样本数据的存储地址存储至所述存储芯片的冗余存储区,所述逻辑芯片与所述存储芯片三维集成。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
所述逻辑芯片接收第二写入数据;
将所述第二写入数据中的所述样本数据存储至所述存储芯片的样本存储区;
将所述第二写入数据中除所述样本数据外的其余数据写入所述逻辑芯片的缓存区。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述逻辑芯片确定第一写入数据的步骤之前,包括:
确定所述逻辑芯片的缓存区的可用存储空间是否大于阈值;
响应于否,则将所述缓存区中至少部分数据确定为所述第一写入数据。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述逻辑芯片根据样本数据对所述第一写入数据进行压缩,得到冗余码的步骤之前,包括:
确定所述存储芯片的样本存储区是否具有匹配所述第一写入数据的样本数据;
若没有,确定所述第一写入数据中是否包含样本数据,所述第一写入数据中的样本数据与所述第一写入数据中其余数据的比特差在预设范围内;或者,确定所述缓存区中是否包含样本数据;
如果所述第一写入数据或者所述缓存区中包含样本数据,将所述样本数据存储至所述存储芯片的样本存储区。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,如果所述样本存储区、所述第一写入数据、所述缓存区中不包含所述样本数据,将所述第一写入数据写入所述存储芯片的原始数据存储区。
6.根据权利要求1~5任一项所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
接收读取指令;
基于所述读取指令从所述样本存储区读出所述样本数据,以及从所述冗余存储区读取所述冗余码;
基于所述样本数据以及所述冗余码得到读出数据。
7.根据权利要求1~5任一项所述的方法,其特征在于,所述逻辑芯片根据样本数据对所述第一写入数据进行压缩,得到冗余码的步骤,包括:
所述逻辑芯片利用编解码模块根据样本数据对所述第一写入数据进行压缩,得到冗余码;所述编解码模块设置于所述逻辑芯片中;
其中,所述编解码模块包括BCH纠错算法、LDPC中至少一种。
8.一种数据读取方法,其特征在于,所述方法包括:
接收读取指令;
基于所述读取指令从所述样本存储区读出所述样本数据,以及从所述冗余存储区读取所述冗余码;
基于所述样本数据以及所述冗余码得到读出数据。
9.一种三维存储器,其特征在于,包括:
逻辑芯片;
存储芯片,所述存储芯片包括冗余存储区;所述逻辑芯片与所述存储芯片三维集成;
其中,所述逻辑芯片确定第一写入数据;根据样本数据对所述第一写入数据进行压缩,得到冗余码;所述第一写入数据与所述样本数据的比特差在预设范围内;将所述冗余码与所述样本数据的存储地址存储至所述存储芯片的冗余存储区。
10.根据权利要求9所述的三维存储器,其特征在于,所述逻辑芯片包括:
编解码模块,所述编解码模块用于基于所述样本数据计算所述第一写入数据的冗余码,以及用于基于所述样本数据以及所述冗余码计算得到读出数据;
地址命令模块,所述地址命令模块用于接收读取指令和写入指令;
内存控制器,所述内存控制器连接所述存储芯片,用于控制所述逻辑芯片以及所述存储芯片。
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