[发明专利]一种显示装置及其制备方法在审
申请号: | 202211206071.8 | 申请日: | 2022-09-30 |
公开(公告)号: | CN115377177A | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
发明(设计)人: | 杨俊彦;白枭;孙杰;吴斌;朱胜迪 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;云南创视界光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H05K7/20 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 张帆 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示装置 及其 制备 方法 | ||
本发明实施例公开了一种显示装置及其制备方法,该显示装置的一个具体示例包括显示器和陶瓷基板,其中,所述陶瓷基板为具有凹槽的一体成型的陶瓷基板;所述显示器内嵌设置在所述凹槽中,并通过封装层进行封装。本发明所提供的技术方案将显示器内嵌设置在一体成型的陶瓷基板的凹槽中再进行封装,提高了显示装置的散热能力同时提高了显示装置结构的强度,并且,由于一体成型的陶瓷基板一面具备凹槽,另一面平整且无元件暴露在外,省去了表面贴装工艺处理和平坦化的制程,提高了生产效率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域。更具体地,涉及一种显示装置及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件(OLED,Organic Light-Emitting Diode)由于其轻薄、对比度高、工作温度范围宽等特点在显示领域大量应用。近年,随着AR/VR等高新科技产物的出现,对于硅基OLED微型显示器的需求不断提高,硅基OLED微型显示器为在一个尺寸在2寸以下的硅基基底上集成上百万甚至更多的发光像素的显示器件,为了确保显示装置的可靠性,会通过一个PCB板作为硅基OLED微型显示器的载板,并用外壳对显示器进行封装,这种结构散热困难且制备流程复杂,尤其是在亮度的需求逐渐提升的情况下,亟需提高显示装置的散热能力。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示装置及其制备方法,以解决现有技术存在的问题中的至少一个。
为达到上述目的,本发明采用下述技术方案:
本发明第一方面提供了一种显示装置,包括显示器和陶瓷基板,其中,
所述陶瓷基板为具有凹槽的一体成型的陶瓷基板;
所述显示器内嵌设置在所述凹槽中,并通过封装层进行封装。
通过将显示器内嵌设置在一体成型的陶瓷基板的凹槽中再进行封装,提高了显示装置的散热能力同时提高了显示装置结构的强度。
可选地,所述陶瓷基板中还设置有外围电路器件,所述显示器通过邦定区与所述外围电路器件电连接。
将所述外围电路器件设置在一体成型的陶瓷基板中,减少了显示装置的尺寸。
可选地,所述封装层封装所述显示器及所述邦定区。
进一步的,所述封装层为透明封装层,其在保护显示器与邦定区不受外界感染的同时保证了显示器的显示效果。
可选地,所述陶瓷基板上设置有用于对内嵌设置所述显示器进行对位的至少一个对位标记。通过在陶瓷基板上设置至少一个对位标记,提高了显示器与陶瓷基板的结合精准度,进一步提高了生产效率。
可选地,所述对位标记设置于所述陶瓷基板的边缘位置。
可选地,所述显示器为硅基OLED显示器,进一步地,为硅基OLED微显示器,所述硅基OLED微显示器的主体结构包括:硅基衬底、驱动电路层、发光结构层、封装层、彩膜层以及盖板。其中,硅基衬底也称之为IC晶片;驱动电路层包括像素驱动电路、像素电极、阵列栅极驱动电路以及相应的IC驱动电路等,直接制备在硅基衬底上;发光结构层设置在驱动电路层上,包括第一电极、出射白光的发光层和第二电极;封装层覆盖发光结构层;彩膜层设置在封装层上,包括黑矩阵、红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片;盖板覆盖上述结构。硅基OLED微显示器采用白光+彩膜的方式以实现高分辨率,可以应用于头盔显示器、立体显示镜以及眼睛式显示器等。
本发明第二方面提供了一种本发明第一方面提供的显示装置的制备方法,包括
提供具有凹槽的一体成型的陶瓷基板;
将显示器内嵌设置于所述凹槽;
利用封装层封装所述显示器。
该制备方法流程简单,且制备得到的显示装置具备优良的散热能力与结构强度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的