[发明专利]一种QLED器件、显示装置和制作方法

权利要求书

1.一种QLED器件，包括衬底、层叠设置在所述衬底上的第一电极、量子点功能层和第二电极，其特征在于，

还包括设置在所述QLED器件上的至少一层由铁电材料形成的微纳结构，所述微纳结构的折射率大于所述第二电极的折射率，所述微纳结构用于改变所述量子点功能层出射的光在出射界面上的入射角。

2.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，

所述微纳结构的折射率大于空气的折射率；

和/或

所述微纳结构的透过率大于80％；

和/或

所述微纳结构为光栅结构、柱状结构、半球结构、锥状结构、以及仿生的蝉翼与蛾眼结构中的一种。

3.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，

所述QLED器件为正置结构或倒置结构；

和/或

所述量子点功能层包括空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层和电子传输层，所述量子点发光层包括量子点和围绕所述量子点的量子点配体，所述量子点包括CdS@ZnSZnS、CdSe/ZnS、InP/ZnS、PbS/ZnS、CsPbCl₃/ZnS、CsPbBr₃/ZnS、CsPbI₃/ZnS、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、InP/ZnS/ZnO、ZnTe/ZnSe/ZnS、ZnSeTe/ZnSe/ZnS中的至少一个，所述量子点配体为长链烷烃配体，包括三辛基膦、三丁基膦、油酸、硬脂酸、油胺、长链烷基胺、长链烷基膦、长链烷基膦酸中的至少一个。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的QLED器件，其特征在于，所述QLED器件包括设置在所述第二电极远离所述衬底一侧的第一微纳结构，并且所述第一微纳结构复用为覆盖层。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的QLED器件，其特征在于，所述QLED器件包括：

设置在所述第二电极远离所述衬底一侧的至少一层覆盖层，沿远离所述衬底的方向，所述至少一层覆盖层的折射率递增；以及

设置在所述至少一层覆盖层远离所述衬底一侧的第二微纳结构，所述第二微纳结构的折射率大于靠近其的覆盖层的折射率。

6.根据权利要求1-3中任一项所述的QLED器件，其特征在于，所述QLED器件包括：

设置在所述第二电极靠近所述量子点功能层一侧的第三微纳结构；以及

设置在所述第二电极远离所述衬底一侧的至少一层覆盖层，沿远离所述衬底的方向，所述至少一层覆盖层的折射率递增。

7.根据权利要求1-3中任一项所述的QLED器件，其特征在于，所述QLED器件包括：

设置在所述第二电极靠近所述量子点功能层一侧的第四微纳结构；

设置在所述第二电极远离所述衬底一侧的至少一层覆盖层，沿远离所述衬底的方向，所述至少一层覆盖层的折射率递增；以及

设置在所述至少一层覆盖层远离所述衬底一侧的第五微纳结构，所述第五微纳结构的折射率大于靠近其的覆盖层的折射率。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-7中任一项所述的QLED器件。

9.一种制作如权利要求1-7中任一项所述的QLED器件的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成第一电极；

在所述第一电极上形成量子点功能层；

在所述量子点功能层上形成第二电极；

所述制作方法还包括：形成在所述QLED器件上的至少一层微纳结构，所述微纳机构由铁电材料形成，所述微纳结构的折射率大于所述第二电极的折射率，所述微纳结构用于改变所述量子点功能层出射的光在出射界面上的入射角。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，

在所述在所述量子点功能层上形成第二电极之后，所述形成在所述QLED器件上的至少一层微纳结构进一步包括：在所述第二电极上形成第一微纳结构，并且所述第一微纳结构复用为覆盖层；

或者

在所述在所述量子点功能层上形成第二电极之后，所述形成在所述QLED器件上的至少一层微纳结构进一步包括：在所述第二电极上形成至少一层覆盖层，沿远离所述衬底的方向，所述至少一层覆盖层的折射率递增，在所述至少一层覆盖层上形成第二微纳结构，所述第二微纳结构的折射率大于靠近其的覆盖层的折射率；

或者

在所述在所述量子点功能层上形成第二电极之前，所述形成在所述QLED器件上的至少一层微纳结构进一步包括：在所述量子点功能层上形成第三微纳结构；在所述在所述量子点功能层上形成第二电极之后，所述形成在所述QLED器件上的至少一层微纳结构进一步包括：在所述第二电极上形成至少一层覆盖层，沿远离所述衬底的方向，所述至少一层覆盖层的折射率递增；

或者

在所述在所述量子点功能层上形成第二电极之前，所述形成在所述QLED器件上的至少一层微纳结构进一步包括：在所述量子点功能层上形成第四微纳结构；在所述在所述量子点功能层上形成第二电极之后，所述形成在所述QLED器件上的至少一层微纳结构进一步包括：在所述第二电极上形成至少一层覆盖层，沿远离所述衬底的方向，所述至少一层覆盖层的折射率递增，在所述至少一层覆盖层上形成第五微纳结构，所述第五微纳结构的折射率大于靠近其的覆盖层的折射率。