[发明专利]一种QLED器件、显示装置和制作方法

说明书

本发明公开了一种QLED器件、显示装置和制作方法，其中一实施例的QLED器件包括衬底、层叠设置在所述衬底上的第一电极、量子点功能层和第二电极，以及设置在所述QLED器件上的至少一层由铁电材料形成的微纳结构，所述微纳结构的折射率大于第二电极的折射率，微纳结构用于改变量子点功能层出射的光在出射界面上的入射角。本发明提供的实施例通过设置在QLED器件上的至少一层微纳结构有效改变量子点功能层出射的光在出射界面上的入射角，通过微纳结构的折射率进一步增大临界角，能够提高QLED器件对光的提取效率；特别在微纳结构设置在量子点功能层和第二电极之间时，微纳结构在外加电场的控制下发生自发极化以进一步提高QLED器件对光的提取效率，具有广泛应用前景。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种QLED器件、显示装置和制作方法。

背景技术

随着量子点材料的发展、器件结构的不断优化和电荷有效输运等研究的持续深入，QLED(Quantum Dot Light Emitting Diode，量子点电致发光二极管)显示将超越光致发光的量子点增亮膜和量子点彩色滤光片，有望成为下一代主流显示技术。

针对器件性能的优化，研究工作主要分为两方面，一方面是量子点材料性能优化，另一方面是通过改进器件结构优化QLED器件性能。

QLED发展历程显示出在外量子效率逼近理论极限值时，单纯从更换材料和优化器件结构入手已经很难进一步突破效率瓶颈问题，这是由于偶极子光源的特性决定的。无论有机电致发光二极管OLED或量子点电致发光二极管QLED中，它们的发光源所发出的光总是朝四面八方辐射的，也就是说，光在传播到界面处时入射波角度是不确定的，这时如果光是从光密介质射入光疏介质，势必有一部分光发生全发射，导致这部分光被困于器件内部，且两种介质层折射率偏差越大，被困与器件内部的光就越多。

因此，如何提高QLED显示器件的出光效率已经成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

为了解决上述问题至少之一，本发明第一方面提供一种QLED器件，包括衬底、层叠设置在衬底上的第一电极、量子点功能层和第二电极，

还包括设置在QLED器件上的至少一层由铁电材料形成的微纳结构，微纳结构的折射率大于第二电极的折射率，微纳结构用于改变量子点功能层出射的光在出射界面上的入射角。

进一步地，微纳结构的折射率大于空气的折射率。

进一步地，微纳结构的透过率大于80％。

进一步地，微纳结构为光栅结构、柱状结构、半球结构、锥状结构、以及仿生的蝉翼与蛾眼结构中的一种。

进一步地，QLED器件为正置结构或倒置结构。

进一步地，量子点功能层包括空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层和电子传输层，量子点发光层包括量子点和围绕量子点的量子点配体，量子点包括CdS@ZnSZnS、CdSe/ZnS、InP/ZnS、PbS/ZnS、CsPbCl₃/ZnS、CsPbBr₃/ZnS、CsPbI₃/ZnS、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、InP/ZnS/ZnO、ZnTe/ZnSe/ZnS、ZnSeTe/ZnSe/ZnS中的至少一个，量子点配体为长链烷烃配体，包括三辛基膦、三丁基膦、油酸、硬脂酸、油胺、长链烷基胺、长链烷基膦、长链烷基膦酸中的至少一个。

进一步地，QLED器件包括设置在第二电极远离衬底一侧的第一微纳结构，并且第一微纳结构复用为覆盖层。

进一步地，QLED器件包括：