[发明专利]一种基于柔性载板的SiC切割工艺在审
| 申请号： | 202211209764.2 | 申请日： | 2022-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN115497821A | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;朱亦峰;刘文杰;马晴 | 申请（专利权）人： | 中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/683;B23K26/38;B23K26/402 |
| 代理公司： | 北京和联顺知识产权代理有限公司 11621 | 代理人： | 苏映惜 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 柔性 sic 切割 工艺 | ||
1.一种基于柔性载板的SiC切割工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1、完成SiC正面金属制程前的工艺与背面的减薄、离子植入；
S2、采用能够耐受200℃以上的粘着剂，将SiC正面键合在柔性玻璃载板上；
S3、对晶圆采用激光隐形切割，形成上窄下宽的隐形切割面，并沿着隐形切割面进行扩膜裂片断开形成晶粒；
S4、将柔性玻璃载板键合在玻璃载板上；
S5、采用溅镀的方式，在SiC晶圆的背面附金属膜；
S6、将SiC晶圆的背面放置在切割模框上，采用uv光照，使得晶粒从柔性玻璃载板上解键脱落。
2.根据权利要求1所述的基于柔性载板的SiC切割工艺，其特征在于，所述S1中SiC正面金属制程前的工艺包括沟槽、ILD和接触孔工艺。
3.根据权利要求1所述的基于柔性载板的SiC切割工艺，其特征在于，所述S3中上窄下宽的隐形切割面为靠近背面的晶圆表面形成窄隐形切割面，靠近正面的晶圆表面形成宽隐形切割面，且窄隐形切割面与宽隐形切割面处于同一竖直面内。
4.根据权利要求1所述的基于柔性载板的SiC切割工艺，其特征在于，所述S4具体为通过将柔性玻璃载板放置于玻璃载板上，然后通过聚酰亚胺对柔性玻璃载板进行封边。
5.根据权利要求1所述的基于柔性载板的SiC切割工艺，其特征在于，所述S5中金属膜包括Ti、Ni与Ag。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
