[发明专利]一种基于柔性载板的SiC切割工艺

说明书

本发明涉及晶圆加工技术领域，具体的是一种基于柔性载板的SiC切割工艺，本发明包括S1、完成SiC正面金属制程前的工艺与背面的减薄、离子植入；S2、将SiC正面键合在柔性玻璃载板上；S3、对晶圆采用激光隐形切割，并进行扩膜裂片；S4、将柔性玻璃载板键合在玻璃载板上；S5、溅镀金属膜；S6、使用uv光照，使得晶粒从柔性玻璃载板上解键脱落；本发明通过用柔性载板是因为做背面的金属溅镀时需要高温，到那时切割模框不能承受高温；要能够扩膜裂片又要能承受高温，柔性载板就是最好的选择，通过在晶圆的表面切割出上窄下宽的隐形切割面，这样在溅镀的时候，金属在经过断裂面后，就会掉入底部较宽的断裂面内，就不会与两边的晶粒相连，直接在晶粒的表面镀膜。

技术领域

本发明涉及晶圆加工技术领域，具体的是一种基于柔性载板的SiC切割工艺。

背景技术

碳化硅晶片的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件。该材料具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性，在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波性等电子应用领域和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势。

目前在对碳化硅晶圆进行加工时，由于碳化硅比较坚硬，但是又比较脆，切割难度比较大，现在的技术是把正面和背面的工艺全部做完以后再用激光打断金属，再对晶圆进行隐形切割，然后转移到切割模框上进行扩膜裂片断开晶粒。这样的工艺步骤有个难点，那就是做完背面的金属以后，用激光去切割金属时，切割道对准技术比较困难，难以做到精准切割。

发明内容

本发明的目的在于提供一种基于柔性载板的SiC切割工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。

本发明的目的可以通过以下技术方案实现：

一种基于柔性载板的SiC切割工艺，包括以下步骤：

S1、完成SiC正面金属制程前的工艺与背面的减薄、离子植入；

S2、采用能够耐受200℃以上的粘着剂，将SiC正面键合在柔性玻璃载板上；

S3、对晶圆采用激光隐形切割，形成上窄下宽的隐形切割面，并沿着隐形切割面进行扩膜裂片断开形成晶粒；

S4、将柔性玻璃载板键合在玻璃载板上；

S5、采用溅镀的方式，在SiC晶圆的背面附金属膜；

S6、将SiC晶圆的背面放置在切割模框上，采用uv光照，使得晶粒从柔性玻璃载板上解键脱落。

进一步的，所述S1中SiC正面金属制程前的工艺包括沟槽、ILD和接触孔工艺。

进一步的，所述S3中上窄下宽的隐形切割面为靠近背面的晶圆表面形成窄隐形切割面，靠近正面的晶圆表面形成宽隐形切割面，且窄隐形切割面与宽隐形切割面处于同一竖直面内。

进一步的，所述S4具体为通过将柔性玻璃载板放置于玻璃载板上，然后通过聚酰亚胺对柔性玻璃载板进行封边。

进一步的，所述S5中金属膜包括Ti、Ni与Ag。

本发明的有益效果：

1、本发明用柔性载板是因为做背面的金属溅镀时需要高温，到那时切割模框不能承受高温；要能够扩膜裂片又要能承受高温，柔性载板就是最好的选择；

2、本发明通过在晶圆的表面切割出上窄下宽的隐形切割面，这样在溅镀的时候，金属在经过断裂面后，就会掉入底部较宽的断裂面内，就不会与两边的晶粒相连，从而实现直接在晶粒的表面镀膜。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图；