[发明专利]背面研磨带

说明书

本发明涉及背面研磨带。提供一种背面研磨带，其具有优异的凹凸嵌入性和优异的压敏粘合性，并且可以防止剥离时被粘物上的残胶。该背面研磨带包括：基材；和UV固化性压敏粘合剂层，其中未经UV照射的所述UV固化性压敏粘合剂层在25℃下的剪切储能弹性模量G′1为0.175MPa以上，并且对硅的压敏粘合力为1N/20mm以上，并且其中所述背面研磨带的经UV照射的UV固化性压敏粘合剂层在25℃下的拉伸储能弹性模量E′1为300MPa以下，并且对硅的压敏粘合力为0.15N/20mm以下。

技术领域

本发明涉及背面研磨带。

背景技术

半导体晶片用于各种用途，如个人计算机、智能手机和汽车。在半导体晶片的加工工序中，在加工时使用压敏粘合带保护其表面。近年来，已经进行了大规模集成电路(LSI)的小型化和高功能化，并且晶片的表面结构变得复杂。其具体实例是由焊料凸块等引起的晶片表面的三维结构的复杂化。因此，半导体加工工序中使用的压敏粘合带要求具有晶片表面的凹凸的嵌入性以及强的压敏粘合性。半导体晶片的背面研磨工序中使用的压敏粘合带半导体晶片要求在背面研磨工序中适当地保持半导体晶片，并且在背面研磨工序后容易地剥离。经过背面研磨工序的半导体晶片的厚度变得明显更薄。因此，要求背面研磨带能够剥离而没有任何残胶和半导体晶片破裂。

近年来，随着产品的小型化和薄型化，半导体晶片的薄型化已经得到了发展。在加工成薄形状的晶片中，当压敏粘合带的压敏粘合力太高时，在剥离压敏粘合带时晶片可能破裂。因此，为了防止在剥离该带时被粘物上的残胶和晶片的破裂，已经提出了使用UV固化性压敏粘合剂的压敏粘合带(例如，日本专利申请特开No.2020-017758和日本专利申请特开No.2013-213075)。然而，即使在使用UV固化性压敏粘合剂时，由于压敏粘合力的不充分降低，在剥离该带时也可能出现被粘物上的残胶和晶片的破裂的问题。

发明内容

本发明旨在解决现有技术中的上述问题，并且提供了一种背面研磨带，其具有优异的凹凸嵌入性和优异的压敏粘合性，并且可以防止剥离时被粘物上的残胶。

根据本发明的至少一个实施方案，提供一种背面研磨带，其包括：基材；和UV固化性压敏粘合剂层。未经UV照射的所述UV固化性压敏粘合剂层在25℃下的剪切储能弹性模量G′1为0.175MPa以上，并且对硅的压敏粘合力为1N/20mm以上，并且所述背面研磨带的经UV照射的UV固化性压敏粘合剂层在25℃下的拉伸储能弹性模量E′1为300MPa以下，并且对硅的压敏粘合力为0.15N/20mm以下。

在本发明的至少一个实施方案中，所述背面研磨带通过贴附至具有凹凸的被粘物来使用。

在本发明的至少一个实施方案中，所述凹凸的落差为10μm～200μm。

在本发明的至少一个实施方案中，所述凹凸为突出的电极。

在本发明的至少一个实施方案中，所述背面研磨带进一步包括中间层，其中所述中间层配置在所述基材和所述压敏粘合剂层之间。

在本发明的至少一个实施方案中，所述中间层的厚度为10μm～300μm。

在本发明的至少一个实施方案中，所述中间层在25℃下的剪切储能弹性模量G′3为0.3MPa～10MPa，并且所述中间层在80℃下的剪切储能弹性模量G′4为0.01MPa～0.5MPa。

在本发明的至少一个实施方案中，所述压敏粘合剂层的厚度为1μm～100μm。

在本发明的至少一个实施方案中，所述背面研磨带的未经UV照射的UV固化性压敏粘合剂层在80℃下的剪切储能弹性模量G′2为0.01MPa～1MPa。

在本发明的至少一个实施方案中，经UV照射的所述UV固化性压敏粘合剂层在60℃下的拉伸储能弹性模量E′2为30MPa以下。