[发明专利]一种通用高速大容量缓存电路在审

专利信息
申请号: 202211218646.8 申请日: 2022-10-06
公开(公告)号: CN115630000A 公开(公告)日: 2023-01-20
发明(设计)人: 刘光亚;夏自金;蔡景洋;谭勇;凌豪;杨菲菲 申请(专利权)人: 贵州振华风光半导体股份有限公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02;G06F12/0866
代理公司: 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 代理人: 刘安宁
地址: 550018 贵州省*** 国省代码: 贵州;52
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摘要:
搜索关键词: 一种 通用 高速 容量 缓存 电路
【权利要求书】:

1.一种通用高速大容量缓存电路,其特征在于,使用FPGA或CPLD对DDR存储芯片进行驱动控制,使DDR存储芯片的读写时钟速度和传输带宽直接由处理器与DDR硬件的速度决定;使用FPGA或CPLD对DDR存储芯片进行控制,增加存储芯片数量及IO数量对容量进行扩展,获得设定的容量;在电气接口上,使用并行接口,采用同步时钟控制进行数据读写;在物理接口上,使用插拔式金手指接口。

2.如权利要求1所述的一种通用高速大容量缓存电路,其特征在于,包括:电源电路、DDR电路、驱动电路、电路接口;

电源电路给驱动电路、DDR电路供电;

DDR电路由至少1个DDR存储芯片组成,用来存储数据;

驱动电路由模式切换开关、CPLD及配置电路组成,用于驱动外部数据接口与DDR存储芯片,完成数据的读写,模式切换开关用来调整外部接口数据总线位宽;

缓存电路使用并行接口,将DDR存储芯片的驱动时序固化在缓存电路的CPLD中,CPLD将接收到的高速数据实时存入到DDR存储芯片中,直接对缓存电路接口进行控制,同时通过片选功能控制输出高阻态,在共用总线的情况下挂载多块缓存电路,实现缓存扩展;

所述电气端口定义如表1所示:

表1电气端口定义表

所述CMD_in及CMD_out的地址信息格式表2所示:

表2地址信息格式

VD端口与外部数据、控制信号的电平匹配;W/R端口为1时读0时写;CS端口为0时有效;clk端口上升时进行读写;D[15:0]为数据端口。

3.如权利要求2所述的一种通用高速大容量缓存电路,其特征在于,所述电源电路由电源管理器芯片及其常规外围电路组成,产生3.3V、1.8V、1.8V三个输出电压分别给CPLD芯片、DDR存储芯片、CPLD的BANK供电。

4.如权利要求3所述的一种通用高速大容量缓存电路,其特征在于,所述3.3V电源管理器芯片的型号为LP3964EMP-3.3/NOPB,所述1.8V电源管理器芯片的型号为LP3964EMP-1.8/NOPB。

5.如权利要求2所述的一种通用高速大容量缓存电路,其特征在于,所述DDR电路由DDR存储器芯片及其常规外围电路组成,DDR存储器芯片的参考电压通过电阻分压获取,DDR存储器芯片的每个电源脚就近接有退耦及贮能电容。

6.如权利要求5所述的一种通用高速大容量缓存电路,其特征在于,所述DDR存储器芯片为DDR2存储器芯片,所述DDR2存储器芯片的型号为MT47H128M16。

7.如权利要求2所述的一种通用高速大容量缓存电路,其特征在于,所述CPLD处理器的工作主频为200MHz以上,拥有2个可独立供电的IO Bank,其中一个Bank与DDR电路共电压,实现CPLD与内存芯片的电平匹配,另一个Bank的电压由外部接口引入,实现与外部电平的通用匹配,模式切换开关有0、1两个状态,通过高低电平调整总线的有效宽度为8位或16位,相应地调整外部驱动IO的占用数量;程序下载接口(P1)用于程序下载;有源晶振(G1)根据实际情况调整频率。

8.如权利要求7所述的一种通用高速大容量缓存电路,其特征在于,所述CPLD的型号为XC2C128-7TQ144I,所述有源晶振的调整频率为100MHz。

9.如权利要求2所述的一种通用高速大容量缓存电路,其特征在于,采用模数转换器与FPGA组成的数据采集器,所述数据采集器通过5V供电电源、3.3V IO电源、clk数据读写同步时钟、读写使能位、数据总线、模式切换开关及片选对缓存电路进行数据采集。

10.如权利要求9所述的一种通用高速大容量缓存电路,其特征在于,所述模数转换器12位模数转换器AD9231,所述FPGA的采样速率为40MSPS。

11.如权利要求8所述的一种通用高速大容量缓存电路的数据存储和读取方法,其特征在于,包括如下运作流程:

(1)VC输入5V,VD输入与外部处理器IO电平一致的电压,范围为1.5V-3.3V;

(2)通过XC2C128内部软件完成MT47H128M16存储芯片的初始化;

(3)CS输入0使能激活缓存电路;

(4)通过指令定义起始地址,地址指令总数据位宽32位,0-13为行地址,14-23为列地址,24-26为块地址,27-31预留为空,写入和读出的地址信息格式一致,通过CMD_clk上升沿进行地址指令的读写,CMD_in输入的是进行数据存储和读取时地址的初始位置,CMD_out输出的是数据存储和读取时地址的实时位置;W/R读写值改变后,需根据实际情况更新地址,如不更新,地址的初始值为最后更新的值,若从未更新,则默认为0;

(5)W/R输入1时,进行写操作,通过clk上升沿写入待储存的数据,如模式开关为1,缓存电路取D[15:0]堆栈式存入存储芯片,如模式开关为0,缓存电路取D[7:0],累积满16位后堆栈式存入存储芯片;

(6)W/R输入0时,进行读操作,通过clk上升沿读取已储存的数据,如模式开关为1,数据通过D[15:0]输出,如模式开关为0,数据通过D[7:0]输出。

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