[发明专利]反相器及其制备方法

权利要求书

1.一种反相器，其特征在于，所述反相器包括：

衬底；

第一掺杂结构，包括依次层叠在所述衬底的第一表面上的第一漏极、第一沟道和第一源极；

第二掺杂结构，包括依次层叠在所述衬底的第一表面上的第二漏极、第二沟道和第二源极；

栅极结构，设置在所述衬底的第一表面上，且位于所述第一掺杂结构和所述第二掺杂结构之间；所述栅极结构包括：多晶硅层；栅氧层，位于所述多晶硅层和所述第一掺杂结构之间、所述多晶硅层和所述第二掺杂结构之间、以及所述多晶硅层和所述衬底之间；

其中，所述第二漏极与所述第一漏极掺杂类型相反，所述第二沟道与所述第一沟道掺杂类型相反，所述第二源极与所述第一源极掺杂类型相反，

第一电平连接端，设置在所述第一掺杂结构上，且与所述第一源极和所述第一沟道电连接；

第二电平连接端，设置在所述第二掺杂结构上，且与所述第二源极和所述第二沟道电连接；

输入端，设置在所述栅极结构上，且与所述多晶硅层电连接；

输出端，设置在所述衬底的第二表面上，且与所述第一漏极和所述第二漏极电连接，所述衬底的第二表面与所述衬底的第一表面相反。

2.根据权利要求1所述的反相器，其特征在于，所述反相器还包括：

介质层，位于所述第一电平连接端和所述第一掺杂结构之间、所述第二电平连接端和所述第二掺杂结构之间、以及所述输入端和所述栅极结构之间；

第一接触结构，贯穿所述介质层和所述第一源极并延伸至所述第一沟道内；

第二接触结构，贯穿所述介质层和所述第二源极并延伸至所述第二沟道内；

第三接触结构，贯穿所述介质层并延伸至所述多晶硅层内。

3.根据权利要求2所述的反相器，其特征在于，所述第一接触结构包括位于所述第一沟道内的第一掺杂端，所述第一掺杂端与所述第一沟道掺杂类型相同；

所述第二接触结构包括位于所述第二沟道内的第二掺杂端，所述第二掺杂端与所述第二沟道掺杂类型相同；

所述第三接触结构包括位于所述多晶硅层内的第三掺杂端，所述反相器包括两个所述第三接触结构，一个所述第三接触结构的第三掺杂端与所述第一掺杂端相对设置且掺杂类型相同，另一个所述第三接触结构的第三掺杂端与所述第二掺杂端相对设置且掺杂类型相同。

4.根据权利要求1-3任一项所述的反相器，其特征在于，所述衬底包括依次层叠的第一掺杂硅层和第二掺杂硅层，所述第二掺杂硅层与所述第一掺杂硅层掺杂类型相同，且所述第二掺杂硅层的掺杂浓度小于所述第一掺杂硅层的掺杂浓度。

5.一种反相器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底的第一表面开设延伸至所述衬底内的沟槽；

在所述沟槽内形成栅极结构；

在所述栅极结构的第一侧形成第一掺杂结构，所述第一掺杂结构包括沿远离所述衬底的第一表面的方向依次层叠的第一源极、第一沟道和第一漏极；

在所述栅极结构的第二侧形成第二掺杂结构，所述栅极结构位于所述第一掺杂结构和所述第二掺杂结构之间，所述第二掺杂结构包括沿远离所述衬底的第一表面的方向依次层叠的第二源极、第二沟道和第二漏极。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在所述栅极结构的第一侧形成第一掺杂结构，包括：

在所述衬底的第一表面和所述栅极结构上形成阻挡层；

对所述栅极结构的第一侧的第一深度区间的衬底进行离子注入，形成所述第一漏极；

对所述栅极结构的第一侧的第二深度区间的衬底进行离子注入，形成所述第一沟道，所述第二深度区间中的最大深度等于所述第一深度区间中的最小深度；

对所述栅极结构的第一侧的第三深度区间的衬底进行离子注入，形成所述第一源极，所述第三深度区间中的最大深度等于所述第二深度区间中的最小深度。