[发明专利]高压传输门电路、芯片及比较器在审

专利信息
申请号: 202211224264.6 申请日: 2022-10-08
公开(公告)号: CN115483923A 公开(公告)日: 2022-12-16
发明(设计)人: 李进;陈原;汤云超 申请(专利权)人: 上海类比半导体技术有限公司
主分类号: H03K19/20 分类号: H03K19/20;H03K5/24
代理公司: 上海君立衡知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31389 代理人: 闫雪薇
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 高压 传输 门电路 芯片 比较
【权利要求书】:

1.一种高压传输门电路,包括:

第一开关控制模块,具有第一负载端、第一电源端、第二电源端和第一控制端;所述第一电源端与系统电源正极连接,所述第二电源端与所述系统电源负极连接;

第二开关控制模块,具有第二负载端、第三电源端、第四电源端和第二控制端;所述第三电源端与所述系统电源正极连接,所述第四电源端与所述系统电源负极连接;

传输门开关,包括第一开关单元和第二开关单元;所述第一开关单元的第一端与所述第一负载端连接,所述第一开关单元的第二端与所述第一控制端连接;所述第二开关单元的第一端与所述第二负载端连接,所述第二开关单元的第二端与所述第二控制端连接;

所述传输门开关用于在电流从所述第一负载端流入,并从所述第二负载端流出时,在所述第一控制端和所述第二控制端的控制下开启,在电流从所述第二负载端流入,并从所述第一负载端流出时,在所述第一控制端和所述第二控制端的控制下关闭。

2.根据权利要求1所述的高压传输门电路,其中,所述第一开关单元包括第一PMOS管,所述第二开关单元包括第一NMOS管;

所述第一PMOS管的栅极被配置为所述第一开关单元的第一端,所述第一PMOS管的源极被配置为所述第一开关单元的第二端;

所述第一NMOS管的栅极被配置为所述第二开关单元的第一端,所述第一NMOS管的源极还被配置为所述第二开关单元的第二端;

所述第一PMOS管的源极还与所述第一NMOS管的漏极连接,所述第一PMOS管的漏极还与所述第一NMOS管的源极连接。

3.根据权利要求1所述的高压传输门电路,其中,所述第一开关单元包括第一PMOS管和第二PMOS管,所述第二开关单元包括第一NMOS管和第二NMOS管;

所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极相连,被配置为所述第一开关单元的第一端,所述第一PMOS管的源极与所述第二PMOS管的源极相连,被配置为所述第一开关单元的第二端;

所述第一NMOS管的栅极与所述第二NMOS管的栅极相连,被配置为所述第二开关单元的第一端,所述第一NMOS管的源极与所述第二NMOS管的源极相连,被配置为所述第二开关单元的第二端;

所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极相连,所述第二PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极相连。

4.根据权利要求2或3所述的高压传输门电路,其中,所述第一开关控制模块包括:第一控制单元和第一电阻;

所述第一控制单元的第一端被配置为所述第一电源端,所述第一控制单元的第二端被配置为所述第二电源端,所述第一控制单元的第三端与所述第一电阻的一端连接,所述第一电阻的另一端被配置为所述第一负载端,所述第一控制单元的第四端被配置为所述第一控制端。

5.根据权利要求4所述的高压传输门电路,其中,所述第一控制单元包括第三PMOS管和第三NMOS管;

所述第三PMOS管的漏极被配置为所述第一控制单元的第一端;所述第三NMOS管的漏极被配置为所述第一控制单元的第二端;所述第三PMOS管的源极与所述第三NMOS管的源极连接,被配置为所述第一控制单元的第三端;所述第三PMOS管的栅极与所述第三NMOS管的栅极连接,被配置为所述第一控制单元的第四端。

6.根据权利要求2或3所述的高压传输门电路,其中,所述第二开关控制模块包括:第二控制单元和第二电阻;

所述第二控制单元的第一端被配置为所述第三电源端,所述第二控制单元的第二端被配置为所述第四电源端,所述第二控制单元的第三端与所述第二电阻的一端连接,所述第二电阻的另一端被配置为所述第二负载端,所述第二控制单元的第四端被配置为所述第二控制端。

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