[发明专利]高压传输门电路、芯片及比较器

说明书

本申请实施例提供一种高压传输门电路、芯片及比较器。其中，该高压传输门电路包括：第一开关控制模块的第一电源端与系统电源正极连接，第二电源端与系统电源负极连接；第二开关控制模块的第三电源端与系统电源正极连接，第四电源端与系统电源负极连接；传输门开关，包括第一开关单元和第二开关单元；第一开关单元的第一端与第一开关控制模块的第一负载端连接，第二端与第一开关控制模块的第一控制端连接；第二开关单元的第一端与第二开关控制模块的第二负载端连接，第二端与第二开关控制模块的第二控制端连接。

技术领域

本申请实施例涉及集成电路设计技术领域，尤其涉及一种高压传输门电路、芯片及比较器。

背景技术

高压传输门电路在各种系统中都有应用，是组成高压多路复用器的关键电路。如图1及图2所示，在常用的高压传输门电路中，其中PMOS或NMOS的漏极和源极的两端，栅极和源极的两端，以及栅极和漏极的两端均需要耐高压。

栅极的控制电压由系统电源提供，这会导致高压传输门电路的过驱动电压随着系统电源的波动而波动，使得高压传输门电路的电源抑制(Power Supply Rejection)性能较差，稳定性较弱。

发明内容

鉴于上述问题，本申请实施例提供了一种高压传输门电路、芯片及比较器，可以提高高压传输门电路的电源抑制性能，增强高压传输门电路开关的稳定性。

第一方面，本申请实施例提供了一种高压传输门电路，包括：

第一开关控制模块，具有第一负载端、第一电源端、第二电源端和第一控制端；第一电源端与系统电源正极连接，第二电源端与系统电源负极连接；

第二开关控制模块，具有第二负载端、第三电源端、第四电源端和第二控制端；第三电源端与系统电源正极连接，第四电源端与系统电源负极连接；

传输门开关，包括第一开关单元和第二开关单元；第一开关单元的第一端与第一负载端连接，第一开关单元的第二端与第一控制端连接；第二开关单元的第一端与第二负载端连接，第二开关单元的第二端与第二控制端连接；

传输门开关用于在电流从第一负载端流入，并从第二负载端流出时，在第一控制端和第二控制端的控制下开启，在电流从第二负载端流入，并从第一负载端流出时，在第一控制端和第二控制端的控制下关闭。

可选地，其中，第一开关单元包括第一PMOS管，第二开关单元包括第一NMOS管；

第一PMOS管的栅极被配置为第一开关单元的第一端，第一PMOS管的源极被配置为第一开关单元的第二端；

第一NMOS管的栅极被配置为第二开关单元的第一端，第一NMOS管的源极还被配置为第二开关单元的第二端；

第一PMOS管的源极还与第一NMOS管的漏极连接，第一PMOS管的漏极还与第一NMOS管的源极连接。

可选地，其中，第一开关单元包括第一PMOS管和第二PMOS管，第二开关单元包括第一NMOS管和第二NMOS管；

第一PMOS管的栅极与第二PMOS管的栅极相连，被配置为第一开关单元的第一端，第一PMOS管的源极与第二PMOS管的源极相连，被配置为第一开关单元的第二端；

第一NMOS管的栅极与第二NMOS管的栅极相连，被配置为第二开关单元的第一端，第一NMOS管的源极与第二NMOS管的源极相连，被配置为第二开关单元的第二端；

第一PMOS管的漏极与第一NMOS管的漏极相连，第二PMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极相连。

可选地，其中，第一开关控制模块包括：第一控制单元和第一电阻；