[发明专利]一种无芯基板及其制作方法以及半导体

权利要求书

1.一种无芯基板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

准备一临时基板；所述临时基板至少包括第一金属层以及第二金属层；所述第一金属层与第二金属层沿着垂直于临时基板方向压合成型；

在所述第一金属层的上制作导通铜柱；

在所述导通铜柱上压合第一绝缘层，使所述第一绝缘层的厚度大于所述导通铜柱的高度；所述第一绝缘层包括玻纤材料；

削减所述第一绝缘层的厚度，使所述导通铜柱的高度大于所述第一绝缘层的厚度；

在所述导通铜柱上压合第二绝缘层；使所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层的厚度总和大于所述导通铜柱的高度；所述第二绝缘层包括无玻纤材料；

削减所述第二绝缘层的厚度，使所述导通铜柱的高度大于等于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层的厚度总和；

在所述第二绝缘层上制作金属种子层；

去除所述第二金属层，以所述金属种子层以及所述第一金属层为基材，制作线路层。

2.根据权利要求1所述一种无芯基板制作方法，其特征在于，所述在所述第一金属层的上表面制作导通铜柱这一步骤，具体包括：

在所述第一金属层的上表面施加光阻材料；

所述光阻材料进行曝光显影，形成铜柱开口；

在所述铜柱开口进行图形电镀并去除所述光阻材料，得到导通铜柱。

3.根据权利要求1所述一种无芯基板制作方法，其特征在于，所述削减所述第一绝缘层的厚度，使所述导通铜柱的高度大于所述第一绝缘层的厚度；这一步骤，具体包括：

对所述第一绝缘层进行机械研磨，使所述导通铜柱的高度等于所述第一绝缘层的厚度；对所述第一绝缘层进行二次减薄，使所述导通铜柱的高度大于所述第一绝缘层的厚度。

4.根据权利要求1所述一种无芯基板制作方法，其特征在于，所述无玻纤材料包括树脂或者ABF。

5.根据权利要求1所述一种无芯基板制作方法，其特征在于，所述去除所述第二金属层，以所述金属种子层以及所述第一金属层为基材，制作线路层这一步骤，具体包括：

在金属种子层外露的表面以及第一金属层的外露的表面施加光阻材料；

对所述光阻材料进行曝光以及显影，形成线路开口；

在所述线路开口进行图形电镀并去除所述光阻材料，形成线路层。

6.根据权利要求2所述一种无芯基板制作方法，其特征在于，所述在所述第一金属层上表面施加光阻材料这一步骤，具体包括：

通过贴膜工艺或者涂覆工艺，在所述第一金属层上表面施加光阻材料。

7.根据权利要求1所述一种无芯基板制作方法，其特征在于，还包括在所述线路层上形成阻焊层。

8.根据权利要求1所述一种无芯基板制作方法，其特征在于，所述第一金属层的厚度包括3-5um。

9.一种无芯基板，其特征在于，通过如权利要求1-8任一项所述的一种无芯基板制作方法制作得到。

10.一种半导体，其特征在于，包括一个或者多个如权利要求9所述的一种无芯基板。