[发明专利]半导体器件的切割方法

权利要求书

1.一种半导体器件的切割方法，所述半导体器件包括陶瓷基板和电子芯片，所述电子芯片设置于所述陶瓷基板上，所述电子芯片封装形成有环氧树脂层，其中在竖直方向上，所述环氧树脂层的投影面积小于所述陶瓷基板的投影面积，所述环氧树脂层的边缘与所述陶瓷基板的边缘具有距离，其特征在于：包括以下步骤：

S1：在所述陶瓷基板的边缘涂覆减粘胶层，所述减粘胶层与所述环氧树脂层位于所述陶瓷基板的同一侧，所述减粘胶层在水平方向上远离所述环氧树脂层；

S2：将粘性紫外线膜覆盖在所述环氧树脂层和所述减粘胶层上，其中，在竖直方向上，粘性紫外线膜的投影面积大于等于所述陶瓷基板的投影面积；

S3：对减粘胶层进行处理以降低粘性；

S4：将粘性紫外线膜固定于基座上并对所述陶瓷基板进行切割。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的切割方法，其特征在于：所述减粘胶层为加热减粘胶层或紫外线减粘胶层，通过加热或紫外光解胶灯照射的方式降低所护减粘胶层的粘性。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的切割方法，其特征在于：所述加热减粘胶层的厚度为5～1000μm。

4.根据权利要求2所述的半导体器件的切割方法，其特征在于：所述紫外线减粘胶层的厚度为5～1000μm。

5.根据权利要求2所述的半导体器件的切割方法，其特征在于：所述加热减粘胶层由固化剂、溶剂、自膨胀微球发泡剂和色粉构成。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的切割方法，其特征在于：所述固化剂为异佛尔酮二异氰酸酯封闭型异氰酸酯固化剂；所述溶剂为液氨、液态二氧化硫及亚硫酰氯的混合物；所述自膨胀微球发泡剂中自膨胀微球的粒径为18μm；所述色粉为一种有机色粉或多种有机色粉的混合物或一种无机色粉或多种无机色粉的混合物。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的切割方法，其特征在于：步骤S3中，针对不同尺寸、形状的待切割陶瓷基板，利用机械臂控制加热源或紫外光解胶灯的行进路径，以降低所述减粘胶层的粘性。

8.一种半导体器件的切割方法，所述半导体器件包括陶瓷基板和电子芯片，所述电子芯片设置于所述陶瓷基板上，所述电子芯片封装形成有环氧树脂层，其中在竖直方向上，所述环氧树脂层的投影面积小于所述陶瓷基板的投影面积，所述环氧树脂层的边缘与所述陶瓷基板的边缘具有距离，其特征在于：包括以下步骤：

S1：在所述陶瓷基板的边缘粘贴弹性体，所述弹性体与所述环氧树脂层位于所述陶瓷基板的同一侧，所述弹性体在水平方向上远离所述环氧树脂层；

S2：将粘性紫外线膜覆盖在所述环氧树脂层和所述弹性体上，其中，在竖直方向上，粘性紫外线膜的投影面积大于等于所述陶瓷基板的投影面积；

S3：将粘性紫外线膜固定于基座上并对所述陶瓷基板进行切割。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的切割方法，其特征在于：所述弹性体的宽度为1～5mm。

10.根据权利要求8所述的半导体器件的切割方法，其特征在于：所述弹性体的高度为0.1～1mm。