[发明专利]半导体器件的切割方法

说明书

本申请提供一种半导体器件的切割方法，半导体器件包括陶瓷基板和电子芯片，环氧树脂层封装电子芯片于陶瓷基板上，竖直方向上，环氧树脂层的投影面积小于陶瓷基板的投影面积，环氧树脂层与陶瓷基板的边缘具有距离，切割方法包括以下步骤：在陶瓷基板的边缘涂覆减粘胶层，减粘胶层与环氧树脂层位于陶瓷基板的同一侧并在水平方向上远离环氧树脂层；将粘性紫外线膜覆盖在环氧树脂层和减粘胶层上，竖直方向上，粘性紫外线膜的投影面积大于等于陶瓷基板的投影面积；对减粘胶层进行处理以降低粘性；将粘性紫外线膜固定于基座上并对所述陶瓷基板进行切割。上述方法能够避免不同材料由于高度差导致陶瓷基板的边缘被拉扯而产生较大的形变和应力，造成裂纹或断裂的现象。

技术领域

本申请涉及半导体封装技术领域，具体而言涉及一种半导体器件的切割方法。

背景技术

传统切割盘由切割盘底座与橡胶座组成，切割盘底座为板状构造，橡胶座黏设于切割盘底座本体上，橡胶座上设有若干吸嘴阵列排布，每个吸嘴中心设有真空孔，真空孔与真空通道连通，用于通过吸附的方式固定待切割陶瓷基板。切割时，将陶瓷基板放置在加工平台上，使用例如金刚石等刀具对陶瓷基板进行划片加工。

现有的加工技术中，如图1所示，通常在陶瓷基板上具有单体芯片的一侧覆盖一层UV粘性膜，主要是用于晶圆切割制程中保护单体芯片及后期捡取工艺流程。然而，当把待切割的陶瓷基板固定在吸嘴阵列上时(参见图2)，由于真空吸力的作用，陶瓷基板边缘与UV膜接触的部分由于拉扯会产生较大的形变和应力，从而造成陶瓷基本产生裂纹甚至断裂，影响了产品的良率。

发明内容

本申请的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种能够避免陶瓷基板的边缘产生应力从而产生裂纹甚至断裂的半导体器件的切割方法。

为实现上述目的，本申请采用如下技术方案：

根据本申请的一个方面，提供了一种半导体器件的切割方法，所述半导体器件包括陶瓷基板和电子芯片，所述电子芯片设置于所述陶瓷基板上，所述电子芯片封装形成有环氧树脂层，其中在竖直方向上，所述环氧树脂层的投影面积小于所述陶瓷基板的投影面积，所述环氧树脂层的边缘与所述陶瓷基板的边缘具有距离，切割方法包括以下步骤：

S1：在所述陶瓷基板的边缘涂覆减粘胶层，所述减粘胶层与所述环氧树脂层位于所述陶瓷基板的同一侧，所述减粘胶层在水平方向上远离所述环氧树脂层；

S2：将粘性紫外线膜覆盖在所述环氧树脂层和所述减粘胶层上，其中，在竖直方向上，粘性紫外线膜的投影面积大于等于所述陶瓷基板的投影面积；

S3：对减粘胶层进行处理以降低粘性；

S4：将粘性紫外线膜固定于基座上并对所述陶瓷基板进行切割。

根据本申请的一实施方式，所述减粘胶层为加热减粘胶层或紫外线减粘胶层，通过加热或紫外光解胶灯照射的方式降低所护减粘胶层的粘性。

根据本申请的一实施方式，所述加热减粘胶层的厚度为5～1000μm。

根据本申请的一实施方式，所述紫外线减粘胶层的厚度为5～1000μm。

根据本申请的一实施方式，所述加热减粘胶层由固化剂、溶剂、自膨胀微球发泡剂和色粉构成。

根据本申请的一实施方式，所述固化剂为异佛尔酮二异氰酸酯封闭型异氰酸酯固化剂；所述溶剂为液氨、液态二氧化硫及亚硫酰氯的混合物；所述自膨胀微球发泡剂中自膨胀微球的粒径为18μm；所述色粉为一种有机色粉或多种有机色粉的混合物或一种无机色粉或多种无机色粉的混合物。

根据本申请的一实施方式，步骤S3中，针对不同尺寸、形状的待切割陶瓷基板，利用机械臂控制加热源或紫外光解胶灯的行进路径，以降低所述减粘胶层的粘性。